0 25 50 75 100
图示 9. 止-状态 向前 电流 vs. 温度
I
M
- 支持 电流 (microamperes)
瞬时 热的 阻抗 (
˚
c 每 watt)
5,000
10,000
500
1000
100
50
10
-20-40 0 20 40 60 80 100
T
一个
- 包围的 温度 (
˚
c)
时间 (秒)
T
一个
- 包围的 温度 (
˚
c)
图示 7. 支持 电流 vs. 温度
I
FT
- normalized 输入 电流 至 触发
I
D
- normalized 向前 电流 (止 状态)
5000
10,000
500
1000
100
50
10
5
1
30
100
20
10
60
50
40
90
80
70
0.2 0.4 0.6 08 10
在-状态 电流 (amperes)
图示 10. 在-状态 电流 vs. 最大 容许的 温度
最大 容许的 温度 (
˚
c)
图示 12. 在-状态 特性
010203040
V
T
- 在-状态 电压 (伏特
)
.-2
.01
.06
.08
.01
.04
.6
.4
1
.8
.2
2
I
T
-
在-状态 电流 (amperes)
R
GK
= 300
Ω
1K
10K
27K
56K
1K
56K
400V
50V
V
AK
= 50v
normalized 至
V
AK
+50V
T
一个
+25
˚
C
.0004 .001 .002 .004.0001
.0002
.01 .02 .04 1 2 4 10 20 40 100
图示 8. 最大 瞬时 热的 阻抗
40
1000
10
20
100
200
400
600
60
6
4
2
1
25 50 75 100
图示 11. dv/dt vs. 温度
T
一个
- 包围的 温度 (
˚
c)
dv/di - 核心的 比率 的 上升 应用 向前 电压 ( volt/
µ
秒)
500
1000
100
50
10
5
1.0
.5
anode 含铅的 温度
直流 电流
包围的 温度
half-sine
波 avgerage
anode 含铅的 温度
1/2 sine 波 平均
包围的 温度
直流 电流
10K
27K
R
GK
= 300
Ω
接合面 温度 = 100
˚
C
增加 至 向前
breakover 电压
接合面 温度 = 25
˚
C
便条: (1) 含铅的 温度 量过的 在 这 最宽的 portion
的 这 scr anode 含铅的
(2) 包围的 温度 量过的 在 一个 要点
1/2" 从 这 设备
接合面 至 包围的
接合面 至 含铅的
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photo scr optocouplers
4n39 4n40
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