TCMT1108_集成电路资料查询网

tcmt11.. 序列
Vishay
半导体
5 (12)
www.vishay.com文档 号码 83510
rev. a2, 15–dec–00
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定)
0
50
100
150
200
250
300
0 40 80 120
p     – 总的 电源 消耗 ( mw )
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
96 11700
tot
结合 设备
Phototransistor
ir-二极管
图示 4.  总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
– 向前 电压 ( v )
96 11862
F
i    – 向前 电流 ( 毫安 )
图示 5.  向前 电流 vs. 向前 电压
–25 0 25 50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
ctr      – 相关的 电流 转移 比率
rel
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
95 11025
75
V
CE
=5V
I
F
=5mA
图示 6.  相关的 电流 转移 比率 vs.
包围的 温度
0255075
1
10
100
1000
10000
i      – 集电级 dark 电流,
CEO
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
100
95 11026
和 打开 根基 ( na )
V
CE
=20V
I
F
=0
图示 7.  集电级 dark 电流 vs. 包围的 温度
0.1 1 10
0.01
0.1
1
100
i   – 集电级 电流 ( 毫安 )
C
I
F
– 向前 电流 ( 毫安 )
100
95 11027
10
V
CE
=5V
图示 8.  集电级 电流 vs. 向前 电流
0.1 1 10
0.1
1
10
100
V
CE
– 集电级 发射级 电压 ( v )
100
95 10985
i   – 集电级 电流 ( 毫安 )
C
I
F
=50mA
5mA
2mA
1mA
20mA
10mA
图示 9.  集电级 电流 vs. 集电级 发射级 电压

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tcmt11.. 序列 Vishay 半导体 5 (12) www.vishay.com文档号码 83510 rev. a2, 15–dec–00 典型特性 (t amb = 25 _ c, 除非否则指定) 0 50 100 150 200 250 300 0 40 80 120 p – 总的电源消耗 ( mw ) T amb – 包围的温度 ( ° c ) 96 11700 tot 结合设备 Phototransistor ir-二极管图示 4. 总的电源消耗 vs. 包围的温度 0.1 1.0 10.0 100.0 1000.0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 V F – 向前电压 ( v ) 96 11862 F i – 向前电流 ( 毫安 ) 图示 5. 向前电流 vs. 向前电压 –25 0 25 50 0 0.5 1.0 1.5 2.0 ctr – 相关的电流转移比率 rel T amb – 包围的温度 ( ° c ) 95 11025 75 V CE =5V I F =5mA 图示 6. 相关的电流转移比率 vs. 包围的温度 0255075 1 10 100 1000 10000 i – 集电级 dark 电流, CEO T amb – 包围的温度 ( ° c ) 100 95 11026 和打开根基 ( na ) V CE =20V I F =0 图示 7. 集电级 dark 电流 vs. 包围的温度 0.1 1 10 0.01 0.1 1 100 i – 集电级电流 ( 毫安 ) C I F – 向前电流 ( 毫安 ) 100 95 11027 10 V CE =5V 图示 8. 集电级电流 vs. 向前电流 0.1 1 10 0.1 1 10 100 V CE – 集电级发射级电压 ( v ) 100 95 10985 i – 集电级电流 ( 毫安 ) C I F =50mA 5mA 2mA 1mA 20mA 10mA 图示 9. 集电级电流 vs. 集电级发射级电压

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