tcm811/tcm812
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2002 微芯 技术 公司
1.0 电的
特性
绝对 最大 ratings*
供应 电压 (
V
DD
至 地).........................................+6.0v
重置
, 重置.................................... - 0.3v 至 (
V
DD
+ 0.3v)
输入 电流,
V
DD
.........................................................20 毫安
输出 电流, 重置
, 重置...................................20 毫安
运行 温度 范围...................... – 40°c 至 +85°c
存储 温度 范围....................... – 65°c 至 +150°c
最大 接合面 温度, t
S
.............................. 150°C
*notice:
压力 在之外 那些 列表 下面 “absolute maximun rat-
ings” 将 导致 permanenet 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力
比率 仅有的, 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它
情况 在之外 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这
规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 maximun 比率 con-
ditions 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
管脚 函数 表格
电的 特性
名字 函数
地 地面
重置
(tcm811) 重置推-拉 输出 仍然是 低
当
V
DD
是 在下 这 重置 电压
门槛, 和 为 在 least 140 msec
(最小值.) 之后
V
DD
rises 在之上 重置
门槛.
重置 (tcm812) 重置 推-拉 输出 仍然是
高 当
V
DD
是 在下 这 重置
电压 门槛, 和 为 在 least
140 msec (最小值.) 之后
V
DD
rises
在之上 重置 门槛.
MR
手工的 重置 输入 发生 一个
重置 当 mr
是 在下 v
il.
V
DD
供应 电压
V
DD
= 5v 为 l/m 版本, v
DD
= 3.3v 为 t/s 版本, v
DD
= 3v 为 r 版本, v
DD
= 2.0v 为 f 版本.
T
一个
= –40°c 至 +85°c, 除非 否则 指出. 典型 值 是 在 t
一个
= +25°c. (
便条 1
)
参数 Sym 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
DD
范围 V
DD
1.0
1.1
—
—
5.5
5.5
VTCM811
TCM812
供应 电流 I
CC
—
—
6
4.75
15
10
µA tcm81_l/m, v
DD
= 5.5v, i
输出
= 0
tcm81_r/s/t/f, v
DD
= 3.6v, i
输出
= 0
重置 门槛 V
TH
4.54
4.50
4.63
—
4.72
4.75
V tcm81_l: T
一个
= +25°c
T
一个
= –40°c 至 +85°c
4.30
4.25
4.38
—
4.46
4.50
tcm81_m: t
一个
= +25°c
T
一个
= –40°c 至 +85°c
3.03
3.00
3.08
—
3.14
3.15
tcm81_t: T
一个
= +25°c
T
一个
= –40°c 至 +85°c
2.88
2.85
2.93
—
2.98
3.00
tcm81_s: T
一个
= +25°c
T
一个
= –40°c 至 +85°c
2.58
2.55
2.63
—
2.68
2.70
tcm81_r: T
一个
= +25°c
T
一个
= –40°c 至 +85°c
1.71
1.70
1.75
—
1.79
1.80
tcm81_f: T
一个
= +25°c
T
一个
= –40°c 至 +85°c
重置 门槛 tempco — 30 — ppm/°c
V
DD
至 重置 延迟 —
—
20
5
—
—
µsec V
DD
= v
TH
至 v
TH
–125 mv; l, m,
r, s, t, f
重置 起作用的 timeout 时期 t
RP
140 280 560 msec V
DD
= v
th(最大值)
MR最小 脉冲波 宽度 t
MR
10 — — µsec
MR
glitch 免除 —100—nsec
MR
至 重置 传播
延迟
t
MD
—0.5—µsec
便条 1:
生产 测试 完毕 在 t
一个
= +25°c 和 +85°c, 在 温度 限制 是 测试 和 periodic qa tests
在 生产.
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