描述
这 4n29, 4n30, 4n31, 4n32, 4n33 有 一个 镓
砷化物 infrared 发射级 optically 结合 至 一个 硅
planar photodarlington.
一般 目的 6-管脚
photodarlington optocouplers
4N29 4N30 4N31 4N32 4N33
产品
• 低 电源 逻辑 电路
• telecommunications 设备
• 可携带的 electronics
• 固体的 状态 接转
• 接合 连接 系统 的 不同的 potentials 和 阻抗.
参数 标识 值 单位
总的 设备
T
STG
-55 至 +150 °C
存储 温度
运行 温度 T
OPR
-55 至 +100 °C
含铅的 焊盘 温度 T
SOL
260 为 10 秒 °C
总的 设备 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
P
D
250 mW
减额 在之上 25°c 3.3 mw/°c
发射级
I
F
80 毫安
持续的 向前 电流
反转 电压 V
R
3V
向前 电流 - 顶峰 (300 µs, 2% 职责 循环) I
F
(pk) 3.0 一个
led 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
P
D
150 mW
减额 在之上 25°c 2.0 mw/°c
探测器
BV
CEO
30 V
集电级-发射级 损坏 电压
集电级-根基 损坏 电压 BV
CBO
30 V
发射级-集电级 损坏 电压 BV
ECO
5V
探测器 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
P
D
150 mW
减额 在之上 25°c 2.0 mw/°c
持续的 集电级 电流 I
C
150 毫安
4/25/00 200038b
特性
• 高 敏锐的 至 低 输入 驱动 电流
• 满足 或者 超过 所有 电子元件工业联合会 注册 规格
• vde 0884 承认 有 作 一个 测试 选项
-增加 选项 .300. (e.g., 4n29.300)
发射级
集电级
1
2
3
ANODE
CATHODE
4
5
6
根基
n/c
图式
绝对 最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指定.)
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