TE28F008SA-100_集成电路资料查询网

28F008SA
产品 OVERVIEW
这 28F008SA 是 一个 高-效能
8-mbit
(8388608 位) 记忆 有组织的 作
1 Mbyte
(1048576 字节) 的 8 位 each
十六 64-kbyte
(65536 字节)
blocks
是 包含 在 这 28F008SA
一个 记忆 编排 是 显示 在 图示 6 的 这个 specifica-
tion 一个 块 擦掉 运作 erases 一个 的 这 六-
teen blocks 的 记忆 在 典型地
16 秒
 在-
依赖 的 这 remaining blocks 各自 块 能
是 independently erased 和 写
100000 cy-
cles

擦掉 Suspend
模式 准许 系统 软件
至 suspend 块 擦掉 至 读 数据 或者 execute
代号 从 任何 其它 块 的 这 28F008SA
这 28F008SA 是 有 在 这
40-含铅的 TSOP
(薄的 小 外形 Package 12 mm 厚) 和
44-
含铅的 PSOP
(塑料 小 外形) packages 管脚-
outs 是 显示 在 计算数量 2 和 4 的 这个 specifica-
tion
这
Command 用户 接口
serves 作 这 inter-
面向 在 这 微处理器 或者 微控制器
和 这 内部的 运作 的 这 28F008SA
字节 写 和 块 擦掉 Automation
准许
字节 写 和 块 擦掉 行动 至 是 execut-
ed 使用 一个 二-写 command sequence 至 这
Command 用户 Interface 这 内部的
写 状态
机器
(wsm) automatically executes 这 algo-
rithms 和 timings 需要 为 字节 写 和
块 擦掉 operations 包含 verifications
因此 unburdening 这 微处理器 或者 微观的-
controller Writing 的 记忆 数据 是 执行 在
字节 increments 典型地 在里面
9
m
s
 一个 80% im-
provement 在 电流 flash 记忆 products
I
PP
字节 写 和 块 擦掉 电流
是
10 毫安
typical 30 毫安 maximum V
PP
字节 写 和
块 擦掉 电压
是
114V 至 126V

这
状态 寄存器
indicates 这 状态 的 这
WSM 和 当 这 WSM successfully 完成
这 desired 字节 写 或者 块 擦掉 operation
这
RYBY

输出 给 一个 额外的 指示信号 的
WSM activity 供应 能力 为 两个都 硬件
信号 的 状态 (相比 软件 polling) 和 状态
masking (中断 masking 为 background erase
为 例子) 状态 polling 使用 RYBY

迷你-
mizes 两个都 CPU overhead 和 系统 电源 con-
sumption 当 low RYBY

indicates 那 这
WSM 是 performing 一个 块 擦掉 或者 字节 写 oper-
ation RYBY

高 indicates 那 这 WSM 是 准备好
为 新 commands 块 擦掉 是 suspended 或者 这
设备 是 在 深的 powerdown mode
最大 进入 时间 是
85 ns (t
ACC
)
在 这 com-
mercial 温度 范围 (0

Cto
一个
70

c) 和 在
V
CC
供应 电压 范围 (45v 至 55V 和 475V 至
525v)
I
CC
起作用的 电流
(cmos 读) 是
20 毫安
typical 35 毫安 最大 在 8 MHz

当 这 CE

和 RP

管脚 是 在 V
CC
 这
I
CC
CMOS 备用物品
模式 是 enabled
一个
深的 Powerdown
模式 是 使能 当 这
RP

管脚 是 在 GND 降低 电源 消耗量
和 供应 写 protection
I
CC
电流
在 深的
powerdown 是
020
m
一个 典型
 重置 时间 的 400 ns
是 必需的 从 RP

切换 高 直到 输出 是
有效的 至 读 attempts Equivalently 这 设备 有 一个
wake 时间 的 1
m
s 从 RP

高 直到 写 至 这
Command 用户 接口 是 公认的 用 这
28F008SA 和 RP

在 GND 这 WSM 是 重置
和 这 状态 寄存器 是 cleared
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28F008SA 产品 OVERVIEW 这 28F008SA 是一个高-效能 8-mbit (8388608 位) 记忆有组织的作 1 Mbyte (1048576 字节) 的 8 位 each 十六 64-kbyte (65536 字节) blocks 是包含在这 28F008SA 一个记忆编排是显示在图示 6 的这个 specifica- tion 一个块擦掉运作 erases 一个的这六- teen blocks 的记忆在典型地 16 秒  在- 依赖的这 remaining blocks 各自块能是 independently erased 和写 100000 cy- cles  擦掉 Suspend 模式准许系统软件至 suspend 块擦掉至读数据或者 execute 代号从任何其它块的这 28F008SA 这 28F008SA 是有在这 40-含铅的 TSOP (薄的小外形 Package 12 mm 厚) 和 44- 含铅的 PSOP (塑料小外形) packages 管脚- outs 是显示在计算数量 2 和 4 的这个 specifica- tion 这 Command 用户接口 serves 作这 inter- 面向在这微处理器或者微控制器和这内部的运作的这 28F008SA 字节写和块擦掉 Automation 准许字节写和块擦掉行动至是 execut- ed 使用一个二-写 command sequence 至这 Command 用户 Interface 这内部的写状态机器 (wsm) automatically executes 这 algo- rithms 和 timings 需要为字节写和块擦掉 operations 包含 verifications 因此 unburdening 这微处理器或者微观的- controller Writing 的记忆数据是执行在字节 increments 典型地在里面 9 m s  一个 80% im- provement 在电流 flash 记忆 products I PP 字节写和块擦掉电流是 10 毫安 typical 30 毫安 maximum V PP 字节写和块擦掉电压是 114V 至 126V  这状态寄存器 indicates 这状态的这 WSM 和当这 WSM successfully 完成这 desired 字节写或者块擦掉 operation 这 RYBY  输出给一个额外的指示信号的 WSM activity 供应能力为两个都硬件信号的状态 (相比软件 polling) 和状态 masking (中断 masking 为 background erase 为例子) 状态 polling 使用 RYBY  迷你- mizes 两个都 CPU overhead 和系统电源 con- sumption 当 low RYBY  indicates 那这 WSM 是 performing 一个块擦掉或者字节写 oper- ation RYBY  高 indicates 那这 WSM 是准备好为新 commands 块擦掉是 suspended 或者这设备是在深的 powerdown mode 最大进入时间是 85 ns (t ACC ) 在这 com- mercial 温度范围 (0  Cto 一个 70  c) 和在 V CC 供应电压范围 (45v 至 55V 和 475V 至 525v) I CC 起作用的电流 (cmos 读) 是 20 毫安 typical 35 毫安最大在 8 MHz  当这 CE  和 RP  管脚是在 V CC  这 I CC CMOS 备用物品模式是 enabled 一个深的 Powerdown 模式是使能当这 RP  管脚是在 GND 降低电源消耗量和供应写 protection I CC 电流在深的 powerdown 是 020 m 一个典型  重置时间的 400 ns 是必需的从 RP  切换高直到输出是有效的至读 attempts Equivalently 这设备有一个 wake 时间的 1 m s 从 RP  高直到写至这 Command 用户接口是公认的用这 28F008SA 和 RP  在 GND 这 WSM 是重置和这状态寄存器是 cleared 2

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