字节-宽 smart 5 flashfile™记忆 家族
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产品 预告(展)
至 保护 编写程序 数据, 各自 块 能 是
锁. 这个 块 locking mechanism 使用 一个
结合体 的 位, 块 锁-位 和 一个 主控
锁-位, 至 锁 和 unlock 单独的 blocks. 这
块 锁-位 门 块 擦掉 和 程序
行动, 当 这 主控 锁-位 门 块
锁-位 配置 行动. 锁-位 config-
uration 行动 (设置 块 锁-位, 设置 主控
锁-位, 和 clear 块 锁-位 commands) 设置
和 clear 锁-位.
这 状态 寄存器 和 ry/by# 输出 表明
whether 或者 不 这 设备 是 busy executing 或者
准备好 为 一个 新 command. polling 这 状态
寄存器, 系统 软件 retrieves wsm 反馈.
这 ry/by# 输出 给 一个 额外的 指示信号 的
wsm activity 用 供应 一个 硬件 状态 信号.
像 这 状态 寄存器, ry/by#-低 indicates 那
这 wsm 是 performing 一个 块 擦掉, 程序, 或者
锁-位 配置. ry/by#-高 indicates 那
这 wsm 是 准备好 为 一个 新 command, 块 擦掉
是 suspended (和 程序 是 inactive), 程序 是
suspended, 或者 这 设备 是 在 深的 电源-向下
模式.
这 自动 电源 savings (aps) 特性
substantially 减少 起作用的 电流 当 这
设备 是 在 静态的 模式 (地址 不 切换).
在 aps 模式, 这 典型 i
CCR
电流 是 1 毫安.
当 ce# 和 rp# 管脚 是 在 v
CC
, 这
组件 enters 一个 cmos 备用物品 模式. 驱动
rp# 至 地 使能 一个 深的 电源-向下 模式
这个 significantly 减少 电源 消耗量,
提供 写 保护, resets 这 设备, 和
clears 这 状态 寄存器. 一个 重置 时间 (t
PHQV
) 是
必需的 从 rp# 切换 高 直到 输出 是
有效的. likewise, 这 设备 有 一个 wake 时间 (t
PHEL
)
从 rp#-高 直到 写 至 这 cui 是
公认的.
1.3 引脚 和 管脚 描述
这 家族 的 设备 是 有 在 40-含铅的 tsop
(薄的 小 外形 包装, 1.2 mm 厚) 和
44-含铅的 psop (塑料 小 外形 包装).
pinouts 是 显示 在 计算数量 2 和 3.
4-Mbit:一个-一个,
8-Mbit:一个-一个,
16-Mbit:一个-一个
0
18
0
19
0 20
Input
Buffer
Output
Buffer
Identifier
Register
St一个tus
Register
Comm和
Register
I/OLogic
D一个t一个
Compar一个tor
Input
Buffer
一个ddress
Latch
一个ddress
Counter
Y
Decoder
X
Decoder
YG一个ting
4-Mbit:Eight
8-Mbit:Sixteen
16-Mbit:Thirty-Two
64-KbyteBlocks
WriteSt一个te
M一个chine
Progr一个m/Er一个se
VoltageSwitch
CE#
WE#
OE#
RP#
RY/用#
V
V
GND
DQ-DQ
PP
CC
V
CC
0 7
图示1. 块 图解
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