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资料编号:644793
 
资料名称:TE28F160B3BA90
 
文件大小: 304.24K
   
说明
 
介绍:
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
smart 3 先进的 激励 块
–word-宽
E
6
初步的
1.2 产品 overview
intel 提供 这 大多数 有伸缩性的 电压 解决方案 在
这 flash 工业, 供应 三 分离的 电压
供应 管脚: v
CC
为 读 运作, v
CCQ
为 输出
摆动, 和 v
PP
为 程序 和 擦掉 运作.
分离的 供应 管脚 准许系统 designers 至 使用
这 最优的 电压 水平 为 它们的 设计. 所有 smart
3 先进的 激励 块 flash 记忆 产品
提供 程序/擦掉 能力 在 2.7v 或者 12v
和 读 和 v
CC
在 2.7v. 自从 许多 设计
读 从 这 flash 记忆 一个 大 percentage 的
这 时间, 2.7v v
CC
运作 能 提供
substantial 电源 savings. 这 12v v
PP
选项
maximizes 程序 和 擦掉 效能 在
生产 程序编制.
这 smart 3 先进的 激励 块 flash 记忆
产品 是 高-效能 设备 和 低
电源 运作. 这 有 densities 为 文字-
宽 设备 (x16) 是
一个. 4-mbit (4,194,304-位) flash 记忆
有组织的 作 256-kwords 的 16 位 各自
b. 8-mbit (8,388,608-位) flash 记忆
有组织的 作 512-kwords 的 16 位 各自
c. 16-mbit (16,777,216-位) flash 记忆
有组织的 作 1024-kwords 的 16 位 各自.
为 字节-宽 设备 (x8) 看 这
smart 3
先进的 激励 块 字节-宽 flash 记忆
家族
数据手册.
这 参数 blocks 是 located 在 也 这 顶
(denoted 用 -t 后缀) 或者 这 bottom (-b suffix) 的 这
地址 编排 在 顺序 至 accommodate 不同的
微处理器 protocols 为 kernel 代号 location.
这 upper 二 (或者 更小的 二) 参数 blocks 能
是 锁 至 提供 完全 代号 安全 为
系统 initialization code. locking 和 unlocking 是
控制 用 wp# (看 部分 3.3 为 详细信息).
这 command 用户 接口 (cui) serves 作 这
接口 在 这 微处理器 或者
微控制器 和 这 内部的 运作 的 这
flash 记忆. 这 内部的 写 状态 机器
(wsm) automatically executes 这 algorithms 和
timings 需要 为 程序 和 擦掉
行动, 包含 verification, 因此
这 状态 寄存器 indicates 这 状态 的 这 wsm
用 signifying 块 擦掉 或者 文字 程序
completion 和 状态.
程序 和 擦掉 automation 准许 程序 和
擦掉 行动 至 是 executed 使用 一个 工业-
标准 二-写 command sequence 至 这 cui.
数据 写 是 执行 在 文字 increments.
各自 文字 在 这 flash 记忆 能 是 编写程序
independently 的 其它 记忆 locations; 每
擦掉 运作 erases 所有 locations 在里面 一个 块
同时发生地. 程序 suspend 准许系统
软件 至 suspend 这 程序 command 在 顺序
至 读 从 任何 其它 块. 擦掉 suspend 准许
系统 软件 至 suspend 这 块 擦掉
command 在 顺序 至 读 从 或者 程序 数据 至
任何 其它 块.
这 smart 3 先进的 激励 块 flash 记忆 是
也 设计 和 一个 自动 电源 savings
(aps) 特性 这个 降低 系统 电流
流, 准许 为 非常 低 电源 设计. 这个
模式 是 entered 立即 下列的 这
completion 的 一个 读 循环.
当 这 ce# 和 rp# 管脚 是 在 v
CC
, 这 i
CC
cmos 备用物品 模式 是 使能. 一个 深的 电源-
向下 模式 是 使能 当 这 rp# 管脚 是 在
地, 降低 电源 消耗量 和 供应
写 保护. i
CC
1 µa 典型 (2.7v v
CC
). 一个 最小 重置 时间 的
t
PHQV
是 必需的 从 rp# 切换 高 直到
输出 是 有效的 至 读 attempts. 和 rp# 在
地, 这 wsm 是 重置 和 状态 寄存器 是
cleared. 部分 3.5 包含 额外的 信息
在 使用 这 深的 电源-向下 特性, along 和
其它 电源 消耗量 issues.
这 rp# 管脚 提供 额外的 保护 相反
unwanted command 写 那 将 出现 在
系统 重置和 电源-向上/向下 sequences 预定的 至
invalid 系统 总线 情况 (看 部分 3.6).
谈及 至 这 直流 特性 表格, sections 5.1
和 6.1, 为 完全 电流 和 电压
规格. 谈及 至 这 交流 特性
表格, 部分 7.0, 为 读, 程序 和 擦掉
效能 规格.
2.0 产品 描述
这个 部分 explains 设备 管脚 描述 和
包装 pinouts.
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