E
28f160s3, 28f320s3
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进步 信息
commands 是 写 使用 标准 微观的-
处理器 写 timings. 这 cui 内容 提供
作 输入 至 这 wsm 那 控制 这 块
擦掉, 程序编制, 和 锁-位 配置.
这 内部的 algorithms 是 管制 用 这
wsm, 包含 脉冲波 repetition, 内部的
verification, 和 margining 的 数据. 地址
和 数据 是 内部 latched 在 写
循环. writing 这适合的 command 输出
排列 数据, identifier 代号, 或者 状态 寄存器
数据.
接口 软件 那 initiates 和 polls
progress 的 块 擦掉, 程序编制, 和 锁-
位 配置 能 是 贮存 在 任何 块. 这个
代号 是 copied 至 和 executed 从系统
内存 在 flash 记忆 updates. 之后
successful completion, 读 是 又一次 可能
通过 这 读 排列 command. 块 擦掉
suspend 准许系统 软件 至 suspend 一个
块 擦掉 至 读 或者 写 数据 从 任何 其它
块. 程序 suspend 准许系统 软件
至 suspend 一个 程序 至 读 数据 从 任何
其它 flash 记忆 排列 location.
2.1 数据 保护
取决于 在 这 应用, 这系统
设计者 将 choose 至 制造 这 v
PP
电源
供应 switchable 或者 hardwired 至 v
pph1/2
. 这
设备 支持 也 设计 实践, 和
encourages optimization 的 这 处理器-
记忆 接口.
当 v
PP
≤
V
PPLK
, 记忆 内容 不能 是
改变. 当 高 电压 是 应用 至 v
PP
, 这
二-步伐 块 擦掉, 程序, 或者 锁-位
配置 command sequences 提供
保护 从 unwanted 行动. 所有 写
功能 是 无能 当 v
CC
电压 是 在下
这 写 lockout 电压 v
LKO
或者 当 rp# 是 在
V
IL
. 这 设备的 块 locking 能力
提供 额外的 保护 从 inadvertent
代号 或者 数据 改变.
图示 5. 记忆 编排
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