ii. 制造 信息
一个. 描述/函数: 低-落后, 120ma 直线的 regulators
b. 处理: S12(标准1.2micron 硅 门 cmos)
c. 号码 的 设备 晶体管: 148
d. fabrication location:California, usa
e. 组装 location:Philippines, 泰国或者 马来西亚
f. 日期 的 最初的 生产: october, 1997
iii. 包装 信息
一个. 包装 类型:
5-管脚SOT23
b. 含铅的 框架: 铜
c. 含铅的 完成: 焊盘 加设护板
d. 消逝 连结: Silver-filled 环氧的
e. bondwire: 金 (1mil dia.)
f. 模型 材料: 环氧的 和 silica filler
g. 组装 图解: # 05-1701-0281
h. flammability 比率: 类 ul94-V0
i. 分类 的 潮气 敏锐的
每 电子元件工业联合会 standard jesd22-112:Level 1
iv. 消逝 信息
一个. 维度: 38 x 55毫英寸
b. passivation:si3n4/sio2 (硅 渗氮/ 硅 dioxide)
c. interconnect: 铝/si (si = 1%)
d. backside 敷金属: 毫无
e.最小 metal 宽度: 1.2microns (作 描绘)
f. 最小 metal 间隔: 1.2microns (作 描绘)
g. bondpad 维度: 5 mil. sq.
h. 分开 dielectric: SiO
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i. 消逝 分离 方法: 薄脆饼 锯
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