tfdu4100/tfds4500/tfdt4500
TELEFUNKEN
半导体
前-释放 信息
4
pending—rev. 一个, 03-apr-98
电的 特性
参数 标识 测试 情况
一个
最小值
b
Typ
c
最大值
b
单位
Transceiver
供应 电压 V
CC1
receive 模式 2.7 5.5
V
供应 电压 V
CC1
transmit 模式, r
2
= 51
Ω
2.0 5.5
V
供应 电流, v
CC1
管脚
I
S
V
CC1
= 5.5v 1.3 2.5
pp y ,
CC1
(receive 模式)
I
S
V
CC1
= 2.7v 1.0 1.5
毫安
供应 电流, v
CC1
管脚 (avg)
d
I
S
V
CC1
= 5.5v 5.0 5.5
毫安
pp y ,
CC1
(g)
(transmit 模式)
d
I
S
V
CC1
= 2.7v 3.5 4.5
泄漏 电流 的 ir 发射级, ired
anode 管脚
I
S
V
CC1
= 止, t
xd
= 低, v
CC2
= 6v,
t = 25
°
– 85
°
C
0.005 0.5
µ
一个
transceiver 电源 在 安排好 时间 I
S
50
µ
s
光电子的 特性
参数 标识 测试 情况
一个
最小值
b
Typ
c
最大值
b
单位
接受者
E
emin
α
=
±
15
, sir 模式, sc = 低 20 35
2
最小值 发现 门槛 irradiance
e
α
=
±
15
, sir 模式, sc = 低,
V
CC1
= 2.7v
35
mw/m
2
最小值 发现 门槛 irradiance
d
E
emin
α
=
±
15
, sir 模式, sc = 高 6 10 15
最大值 发现 门槛 Irradiance
d
E
emax
α
=
±
90
, sir 模式, v
CC1
= 5v 3.3 5
kw/m
2
最大值 发现 门槛 irradiance
d
α
=
±
90
, sir 模式, v
CC1
= 3v 8 15
kw/m
2
逻辑 低 接受者 输入 irradiance E
emax
(低)
sc = 高 或者 低 4 mw/m
2
Rxd 输出 电压
V
OL
起作用的, c = 15 pf, r = 2.2 k
Ω
0.5 0.8 V
rxd 输出 电压
V
OH
non–active, c = 15 pf, r = 2.2 k
Ω
V
CC
–0.5
输出 电流 V
OL
< 0.8v 4 毫安
上升 时间 t
r
c = 15 pf, r = 2.2 k
Ω
20 1400
ns
下降 时间 t
f
c = 15 pf, r = 2.2 k
Ω
20 200
ns
rxd 脉冲波 宽度 的 输出 信号 P
w
115.2 kbit/s 模式 1.41 8
µ
s
Jitter
f
t
j
在 一个 时期 的 10 位, 115.2 kbit/s 2
µ
s
Latency t
L
100 500
µ
s
注释
一个. T
amb
= 25
c, v
CC
= 2.7 – 5.5 v 除非 否则 指出.
b. 这 algebraic convention 凭此 这 大多数 负的 值 是 一个 最小 和 这 大多数 积极的 一个 最大.
c. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
d. I
IRED
(顶峰) = 210 毫安 (在 ired anode 管脚)
e. ber = 10
–8
(irda 规格).
f. leading 边缘 的 输出 信号.
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