tfdu6101e/tfds6401/tfds6501e/tfdt6501e
Vishay
半导体
rev. b1.6, 02–nov–006 (17)
www.vishay.com 文档 号码 82525
光电子的 特性
T
amb
= 25
c, v
CC
= 2.6 v 至 5.5 v 除非 否则 指出.
典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
接受者
最小 发现
门槛 irradiance,
sir 模式
tfds6501e/ tfdt6501e
9.6 kbit/s 至 115.2 kbit/s
= 850 nm 至 900 nm
E
e
20 35 mw/m
2
sir 模式
tfdu6101e, tfds6401
9.6 kbit/s 至 115.2 kbit/s
= 850 nm 至 900 nm
E
e
25 40 mw/m
2
最小 发现
门槛 irradiance,
mir 模式
tfds6501e/ tfdt6501e
1.152 mbit/s
= 850 nm 至 900 nm
E
e
50 mw/m
2
mir 模式
tfdu6101e, tfds6401
1.152 mbit/s
= 850 nm 至 900 nm
E
e
65 mw/m
2
最小 发现
门槛 irradiance,
fir 模式
tfds6501e/ tfdt6501e
4.0 mbit/s
= 850 nm 至 900 nm
E
e
65 100 mw/m
2
fir 模式
tfdu6101e, tfds6401
4.0 mbit/s
= 850 nm 至 900 nm
E
e
85 100 mw/m
2
最大 发现
门槛 irradiance
= 850 nm 至 900 nm E
e
5 10 kw/m
2
逻辑 低 接受者
输入 irradiance
E
e
4 mw/m
2
上升 时间 的 输出
signal––,,,,klll
10% 至 90%, @2.2 k
Ω
, 15 pf t
r
(rxd)
10 40 ns
下降 时间 的 输出
信号
90% 至 10%, @2.2 k
Ω
, 15 pf t
f
(rxd)
10 40 ns
rxd 脉冲波 宽度 的 输入 脉冲波 长度 20
µ
s, 9.6 kbit/s t
PW
1.2 10 20
µ
srxd 脉冲波 宽度 的
输出 信号, 50%
sir 模式
输入 脉冲波 长度 1.41
s,
115.2 kbit/s
t
PW
1.2 1/2 位
长度
µ
s
rxd 脉冲波 宽度 的
输出 信号, 50%
mir 模式
输入 脉冲波 长度 217 ns,
1.152 mbit/s
t
PW
110 260 ns
rxd 脉冲波 宽度 的
输出放 信号 50%
输入 脉冲波 长度 125 ns, 4.0 mbit/s t
PW
100 160 ns
输出 信号, 50%
fir 模式
输入 脉冲波 长度 250 ns, 4.0 mbit/s t
PW
200 290 ns
stochastic jitter,
leading 边缘,
fir 模式
输入 irradiance = 100 mw/m
2
,
4.0 mbit/s
±
10 ns
Latency t
L
120 300
µ
s
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