VISHAY
TFDU4300
文档 号码 82614
rev. 1.4, 26-jan-04
vishay 半导体
www.vishay.com
5
电的 特性
Transceiver
测试 @ t
amb
= 25 °c, v
CC1
= v
CC2
= 2.7 v 至 5.5 v 除非 否则 指出.
典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
*)
标准 illuminant 一个
**)
至 提供 一个 改进 immunity 和 增加 v
逻辑
这 典型 门槛 水平的 是 增加 和 v
逻辑
和 设置 至 0.5 x v
逻辑
. 它 是
推荐 至 使用 这 指定 最小值/最大值 values 至 避免 增加 运行 电流.
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
供应 电压 remark: 为 2.4 v < v
CC1
<
2.6 v @ t
amb
< - 25 °c 一个 minor
减少 的 这 接受者
敏锐的 将 出现
V
CC1
2.4 5.5 V
空闲 供应 电流 @ v
CC1
(receive 模式, 非 信号)
sd = 低, e
e
= 1 klx
*)
,
T
amb
= - 25 °c 至 + 85 °c,
V
CC1
= v
CC2
= 2.7 v 至 5.5 v
I
CC1
90 130
µ
一个
sd = 低, e
e
= 1 klx
*)
,
T
amb
= 25 °c,
V
CC1
= v
CC2
= 2.7 v 至 5.5 v
I
CC1
75
µ
一个
空闲 供应 电流 @ v
逻辑
(receive 模式, 非 信号)
sd = 低, e
e
= 1 klx
*)
, v
log
,
管脚 7, 非 信号, 非 加载 @ rxd
I
log
1
µ
一个
平均 动态 供应
电流, transmitting
I
IRED
= 300 毫安, 20 % 职责
循环
I
CC
65 毫安
备用物品 供应 电流 sd = 高, t = 25 °c, e
e
= 0 klx I
SD
0.1
µ
一个
sd = 高, t = 70 °C I
SD
2
µ
一个
sd = 高, t = 85 °C I
SD
3
µ
一个
备用物品 供应 电流, v
逻辑
非 信号, 非 加载 I
log
1
µ
一个
运行 温度 范围 T
一个
- 30 + 85 °C
输出 电压 低, rxd C
加载
= 15 pf V
OL
- 0.5 0.15 x v
逻辑
V
输出 电压 高, rxd I
OH
= - 500
µ
AV
OH
0.8 x v
逻辑
V
逻辑
+ 0.5 V
I
OH
= - 250
µ
一个, c
加载
= 15 pf V
OH
0.9 x v
逻辑
V
逻辑
+ 0.5 V
rxd 至 v
CC1
阻抗 R
Rxd
400 500 600 k
Ω
输入 电压 低 (txd, sd) V
IL
- 0.5 0.5 V
输入 电压 高 (txd, sd)
cmos 水平的
**)
V
IH
V
逻辑
- 0.5 6 V
输入 泄漏 电流 (txd, sd) V
在
= 0.9 x v
逻辑
I
ICH
- 2 + 2
µ
一个
控制 拉 向下 电流 sd, txd = "0" 至 "1",
V
在
< 0.15 v
逻辑
I
IRTx
+ 150
µ
一个
sd, txd = "0" 至 "1",
V
在
> 0.7 v
逻辑
I
IRTx
- 1 0 1
µ
一个
输入 电容 (txd, sd) C
在
5pF
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