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文档 号码 82614
rev. 1.4, 26-jan-04
VISHAY
TFDU4300
vishay 半导体
推荐 电路 图解
运作 和 一个 clean 低 阻抗 电源 供应
这 tfdu4300 needs 非 额外的 外部 混合-
nents. 不管怎样, 取决于 在 这 全部 系统
设计 和 板 布局, 额外的 组件 将
是 必需的 (看 图示 1).
推荐 application 电路
这 电容 c1 是 buffering 这 供应 电压 和
排除 这 电感 的 这 电源 供应 线条.
这个 一个 应当 是 一个 tantalum 或者 其它 快 电容
至 保证 这 快 上升 时间 的 这 ired 电流.
这 电阻 r1 是 这 电流 限制的 电阻, 这个
将 是 使用 至 减少 这 运行 电流 至 水平
在下 这 指定 控制 值 为 节省 bat-
tery 电源.
vishay’s transceivers 合并 一个 敏感的 接受者
和 一个 建造-在 电源 驱动器. 这 结合体 的 两个都
needs 一个 细致的 电路 板 布局. 这 使用 的 薄的,
长, resistive 和 inductive 线路 应当 是 避免.
这 输入 (txd, sd) 和 这 输出 rxd 应当 是
直接地 连接 (直流 - 结合) 至 这 i/o 电路.
这 电容 c2 联合的 和 这 电阻 r2 是 这
低 通过 过滤 为 smoothing 这 供应 电压. r2,
c1 和 c2 是 optional 和 依赖 在 这 质量
的 这 供应 电压 v
CC1
和 injected 噪音. 一个
unstable 电源 供应 和 dropping 电压 在
传递 将 减少 这 敏锐的 (和 trans-
使命 范围) 的 这 transceiver.
这 placement 的 这些 部分 是 核心的. 它 是 strongly
推荐 至 位置 c2 作 关闭 作 可能 至
这 transceiver 电源 供应 管脚. 一个 tantalum
电容 应当 是 使用 为 c1 当 一个 陶瓷的
电容 是 使用 为 c2.
在 增加, 当 连接 这 描述 电路 至
这 电源 供应, 低 阻抗 线路 应当 是
使用.
当 扩展 线路 是 使用 这 电感 的 这
电源 供应 能 导致 dynamically 一个 电压 漏出
在 v
CC2
. 常常 一些 电源 供应 是 不 应用 至
follow 这 快 电流 上升 时间. 在 那 情况 另一
4.7
µ
f (类型, 看 表格 下面 c1) 在 v
CC2
将 是 帮助-
ful.
下面 extreme emi 情况 作 放置 一个 rf-
传输者 触角 在 顶 的 这 transceiver, 我们 rec-
ommend 至 保护 所有 输入 用 一个 低-通过 过滤, 作 一个
最小 一个 12 pf 电容, 特别 在 这 rxd
端口. 这 transceiver 它自己 withstands emi 在 gsm
发生率 在之上 300 v/m. 当 干扰 是
observed, 它 是 picked 向上 用 这 线路 至 这 输入. 它
是 核实 用 dpi (直接 电源 injection) measure-
ments 那 作 长 作 这 interfering rf - 电压 是
在下 这 逻辑 门槛 水平 的 这 输入 和
相等的 水平 在 这 输出 非 干扰 是
预期的.
图示 2 和 图示 3 显示 examples 为 电路 dia-
grams 至 工作 和 低 电压 逻辑 和 使用 这
transceiver 当 v
CC1
= v
逻辑
, just 连接 这
有责任 管脚 至 各自 其它.
图示 1. 推荐 应用 电路
IRED Anode
V
cc
地面
SD
Txd
Rxd
V
CC
1
地
SD
Txd
Rxd
R1
R2
C1
C2
18096
Vlogic
模式
V
CC
2
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