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资料编号:648751
 
资料名称:TIP146
 
文件大小: 51.66K
   
说明
 
介绍:
Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
 
 


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TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
3
motorola 双极 电源 晶体管 设备 数据
V
ce(sat)
, collector–emitter 饱和 电压 (伏特)
V
, base–emitter 电压 (伏特)
V
, base–emitter 电压 (伏特)
5000
0.5
图示 3. 直流 电流 增益 相比 集电级 电流
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
300
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
500
h
FE
, 直流 电流 增益
V
CE
= 4.0 v
4.0
NPN
tip140, tip141, tip142
PNP
tip145, tip146, tip147
图示 4. collector–emitter 饱和 电压
5.0
75
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
0.5
I
C
= 10 一个, i
B
= 4.0 毫安
2.0
3.0
4.0
75
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
25 25 75 175
3.6
3.2
2.8
2.4
0.8
图示 5. base–emitter 电压
2000
1000
T
J
= 150
°
C
25
°
C
55
°
C
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
h
FE
, 直流 电流 增益
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
125
20,000
1000
2000
3000
5000
10,000
7000
1.0
0.7
0.5
V
ce(sat)
, collector–emitter 饱和 电压 (伏特)
0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 104.00.7
50 25 0 25 50 75 100 125 150
175
5.0
75
2.0
3.0
1.0
0.7
50 25 0 25 50 75 100 125 150
175
2.0
1.6
1.2
4.0
75 25 25 75 175
3.6
3.2
2.8
2.4
0.8
125
2.0
1.6
1.2
100
°
C
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
55
°
C
V
CE
= 4.0 v
I
C
= 5.0 一个, i
B
= 10 毫安
I
C
= 1.0 一个, i
B
= 2.0 毫安
I
C
= 10 一个, i
B
= 4.0 毫安
I
C
= 5.0 一个, i
B
= 10 毫安
I
C
= 1.0 一个, i
B
= 2.0 毫安
V
CE
= 4.0 v
I
C
= 10 一个
5.0 一个
1.0 一个
V
CE
= 4.0 v
I
C
= 10 一个
5.0 一个
1.0 一个
典型 特性
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