continental 设备 印度 限制
数据 薄板
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集电级 电流 I
C
最大值 8.0 一个
集电级 顶峰 电流 I
CM
最大值 15 一个
根基 电流 I
B
最大值 1.0 一个
总的 电源 消耗 向上 至 t
C
= 25°c P
tot
最大值 80 W
减额 在之上 25°c 最大值 0.64 W/°C
总的 电源 消耗 向上 至 t
一个
= 25°c P
tot
最大值 2.0 W
减额 在之上 25°c 最大值 0.016 W/°C
接合面 温度 T
j
最大值 150 °C
存储 温度 T
stg
–65 至 +150 °
C
热的 阻抗
从 接合面 至 包围的 R
th j–a
62.5 °
c/w
从 接合面 至 情况 R
th j–c
1.56 °
c/w
特性
T
amb
= 25°c 除非 否则 指定
100 101 102
105 106 107
集电级 截止 电流
I
B
= 0; v
CE
= 30 v I
CEO
最大值 50 – – µA
I
B
= 0; v
CE
= 40 v I
CEO
最大值 – 50 – µA
I
B
= 0; v
CE
= 50 v I
CEO
最大值 – – 50 µA
I
E
= 0; v
CB
= 60v I
CBO
最大值 50 – – µA
I
E
= 0; v
CB
= 80v I
CBO
最大值 – 50 – µA
I
E
= 0; v
CB
= 100v I
CBO
最大值 – – 50 µA
发射级 截-止 电流
I
C
= 0; v
EB
= 5 v I
EBO
最大值 8 毫安
损坏 电压
I
C
= 30 毫安; i
B
= 0 V
ceo(sus)
* 最小值 60 80 100 V
I
C
= 1 毫安; i
E
= 0 V
CBO
最小值 60 80 100 V
I
E
= 1 毫安; i
C
= 0 V
EBO
最小值 5.0 V
饱和 电压
I
C
= 3 一个; i
B
= 6 毫安 V
CEsat
* 最大值 2.0 V
I
C
= 8 一个; i
B
= 80 毫安 V
CEsat
* 最大值 2.5 V
根基-发射级 在 电压
I
C
= 8 一个; v
CE
= 4 v V
是(在)
* 最大值 2.8 V
d.c. 电流 增益
I
C
= 3 一个; v
CE
= 4 v h
FE
* 最小值 1.0 K
最大值 20 K
I
C
= 8 一个; v
CE
= 4 v h
FE
* 最小值 200
小 信号 电流 增益
I
C
= 3a; v
CE
= 4v; f = 1.0 mhz |h
fe
| 最小值 4.0
输出 电容 f = 0.1 mhz
I
E
= 0; v
CB
= 10v,
PNP
C
o
最大值 300 pF
NPN
最大值 200 pF
向前 电压 的 commutation 二极管
I
F
= –i
C
= 10a; i
B
= 0 V
F
* 最大值 2.8 V
* 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs; 职责 循环
≤
2%.
tip100, tip101, tip102
tip105, tip106, tip107
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