产品 信息
3
october 1999
TISP61089AS
双 向前-组织 p-门 thyristors
可编程序的 超（电）压 protectors
推荐 运行 情况
最小值 典型值 最大值 单位
C
G
门 解耦 电容 100 220 nF
R
S
tisp61089as 序列 电阻 为 第一-水平的 和 第二-水平的 surge survival
tisp61089as 序列 电阻 为 第一-水平的 surge survival
40
25
Ω
电的 特性, t
J
= 25°c (除非 否则 指出)
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
D
止-状态 电流 V
D
=V
DRM
, i
G
=0
T
J
= 25°C -5 µA
T
J
= 85°C -50 µA
V
(bo)
breakover 电压
2/10 µs, i
T
=-56a, r
S
=45
Ω,
V
GG
=-48v, c
G
= 220 nF
2/10 µs, i
T
= -100 一个, r
S
=50
Ω,
V
GG
=-48v, c
G
= 220 nF
1.2/50 µs, i
T
= -53 一个, r
S
=47
Ω,
V
GG
=-48v, c
G
= 220 nF
1.2/50 µs, i
T
= -96 一个, r
S
=52
Ω,
V
GG
=-48v, c
G
= 220 nF
-57
-60
-60
-64
V
V
F
向前 电压 I
F
= 5 一个, t
w
= 200 µs 3V
V
FRM
顶峰 向前 恢复
电压
2/10 µs, i
F
=56a, r
S
=45
Ω,
V
GG
=-48v, c
G
= 220 nF
2/10 µs, i
F
= 100 一个, r
S
=50
Ω,
V
GG
=-48v, c
G
= 220 nF
1.2/50 µs, i
F
=53a, r
S
=47
Ω,
V
GG
=-48v, c
G
= 220 nF
1.2/50 µs, i
F
=96a, r
S
=52
Ω,
V
GG
=-48v, c
G
= 220 nF
6
8
8
12
V
I
H
支持 电流 I
T
= -1 一个, di/dt = 1a/ms, v
GG
= -48 V -150 毫安
I
GKS
门 反转 电流 V
GG
=V
GK
=V
GKRM
, v
KA
=0
T
J
= 25°C -5 µA
T
J
= 85°C -50 µA
I
GT
门 触发 电流 I
T
= 3 一个, t
p(g)
≥
20 µs, v
GG
=-48v 5 毫安
V
GT
门 触发 电压 I
T
= 3 一个, t
p(g)
≥
20 µs, v
GG
=-48v 2.5 V
Q
GS
门 切换 承担 1.2/50 µs, i
T
=53a, r
S
=47
Ω
, v
GG
= -48 v c
G
= 220 nF 0.1 µC
C
AK
anode-cathode 止-
状态 电容
f=1mhz, v
d
=1v, i
G
= 0, (看 便条 3)
V
D
= -3 V 100 pF
V
D
=-48v 50 pF
便条 3: 这些 电容 度量 雇用 一个 三 终端 电容 桥 包含 一个 守卫 电路. 这 unmeasured
设备 terminals 是 一个.c. 连接 至 这 守卫 终端 的 这 桥.
热的 特性
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
接合面 至 自由 空气 热的 阻抗
T
一个
= 25 °c, eia/jesd51-3 pcb,
eia/jesd51-2 环境, i
T
= i
tsm(900)
105 °c/w
: 点此下载
