october 2000 - 修订 二月 2005
规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
客户 应当 核实 真实的 设备 效能 在 它们的 明确的 产品.
tisp61089b 高 电压 ringing slic protector
gated protectors (持续)
保护 电压, 这 长度 的 这 电容 至 门 终端 追踪 应当 是 使减少到最低限度. inductive 电压 在 这 protector cathode 线路
将 也 增加 这 保护 电压. 这些 电压 能 是 使减少到最低限度 用 routing 这 slic 连接 通过 这 protector 作 显示 在
图示 6.
图示 9, 这个 有 一个 10 一个/
µ
s 比率 的 impulse 电流 上升, 显示 一个 积极的 门 承担 (q
GS
) 的 关于 0.1
µ
c. 和 这 0.1
µ
f 门
解耦 电容 使用, 这 增加 在 门 供应 是 关于 1 v (= q
GS
/c1). 这个 改变 是 just visible 在 这 -72 v 门 电压, v
BATH
.
但是, 这 电压 增加 做 不 直接地 增加 至 这 保护 电压 作 这 供应 电压 改变 reaches 一个 最大 在 0.4
µ
s, 当 这
门 电流 reverses 极性, 和 这 保护 电压 顶峰 早期 在 0.3
µ
s. 在 图示 9, 这 顶峰 夹紧 电压 (v
(bo)
) 是 -77.5 v, 一个
增加 的 5.5 v 在 这 名义上的 门 供应 电压. 这个 5.5 v 增加 是 这 总 的 这 供应 栏杆 增加 在 那 时间, (0.5 v), 和 这
保护 电路’s cathode 二极管 至 供应 栏杆 breakover 电压 (5 v). 在 实践, 使用 的 这 推荐 220 nf 门 解耦 电容
将 给 一个 供应 栏杆 增加 的 关于 0.3 v 和 一个 v
(bo)
值 的 关于 -77.3 v.
图示9.protector 快 impulse 夹紧 和 切换 波形
时间 -
µ
s
0.0 0.5 1.0 1.5
Voltage -V
-80
-60
-40
-20
0
V
K
时间 -
µ
s
0.0 0.5 1.0 1.5
电流 - 一个
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
I
K
I
G
Q
GS
V
BATH
AI6XDE
Voltage 压力 水平 在 这 tisp61089b
图示 10 显示 这 protector electrodes. 这 包装 终端 designated 门, g, 是 这 晶体管 根基, b, electrode 连接 和 所以 是
marked 作 b (g). 这 下列的 汇合处 是 主题 至 电压 压力: 晶体管 eb 和 cb, scr ak (止 state) 和 这 antiparallel 二极管
(反转 blocking). 这个 clause 覆盖 这 需要 测试 至 确保 这 汇合处 是 好的.
Testing 晶体管 cb 和 eb:
这 最大 电压 压力 水平的 为 这 tisp61089b 是 v
BATH
和 这 增加 的 这 短的 期 antiparallel
二极管 电压 越过, v
FRM
. 这 电流 流 输出 的 这 g 终端 是 量过的 在 v
BATH
加 v
FRM
. 这 scr k 终端 是 短接 至
这 一般 (0 v) 为 这个 测试 (看 图示 10). 这 量过的 current, i
GKS
, 是 这 总 的 这 接合面 电流 i
CB
和 i
EB
.
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