tisppbl1d, tisppbl1p, tisppbl2d, tisppbl2p
双 向前-组织 p-门 thyristors
为 ericsson 组件 slics
8
8月 1997 - 修订 12月 1999
产品 信息
产品 信息
运作 的 gated protectors
这 下列的 slic 电路 定义 是 使用 在 这个 数据 薄板:
V
BAT
— 包装 管脚 label 为 这 电池 供应 电压.
V
Bat
— 电压 应用 至 这 v
BAT
管脚.
V
B
— 负的 电源 供应 电压 应用 至 这 v
BAT
管脚 通过 一个 分开 二极管. 这个 电压 是 也 这
门 涉及 电压, v
GG
, 的 这 tisppblx. 当 这 分开 二极管, d1, 是 组织, 然后
V
Bat
=V
B
+0.7.
这 分开 二极管, d1 在 图示 13, 是 至 阻止 一个 损害的 电流 流 在 这 slic 基质 (v
BAT
管脚) 如果 这 v
Bat
电压 变为 更多 负的 比 这 v
B
供应 在 一个 负的 超（电）压 情况.
各自 slic needs 一个 分开 二极管 从 这 v
B
电压 供应.
图示 13 和 图示 14 显示 如何 这 tisppblx 限制 overvoltages. 这 tisppblx thyristor sections 限制
负的 overvoltages 和 这 二极管 sections 限制 积极的 overvoltages.
负的 overvoltages (图示 13) 是 initially clipped 关闭 至 这 slic 负的 供应 栏杆 值 (v
B
) 用 这
传导 的 这 晶体管 根基-发射级 和 这 thyristor 门-cathode 汇合处. 如果 sufficient 电流 是
有 从 这 超（电）压, 然后 这 thyristor 将 crowbar 在 一个 低 电压 地面 关联 在-状态
情况. 作 这 在电压 subsides 这 高 支持 电流 的 这 crowbar thyristor 阻止 d.c. latchup.
典型 特性
图示 11 图示 12
cumulative population %
vs
限制的 时间
t
(br)
, t
FR
- 损坏 和 向前 恢复 时间 - µs
0.001 0.01 0.1 1
cumulative population - %
0·001
0·01
0·1
1
10
30
50
70
90
99
99·9
99·99
99·999
TC6XAC
50 设备 测试 从 10 薄脆饼 lots
I
F
= 20 一个, i
T
= -20 一个, 0.5/700 波形
T
一个
= 25°c, v
GG
= -50 v
thyristor t
(br)
为 v
(br)
< v
GG
二极管 t
FR
为 v
F
> 5 v
Outliers
(2) @ 0 µs
0.004 0.04 0.4
normalised 顶峰 限制的 电压
vs
接合面 温度
T
J
- 接合面 温度 - °c
-40-30-20-10 0 1020304050607080
normalised 顶峰 限制的 电压
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
TC6XAA
normalised 至 25°c 值
的 v
(bo)
和 v
FRM
I
F
= 20 一个, i
T
= -20 一个
0.5/700 波形
V
GG
= -50 v
THYRISTOR
V
(bo)
二极管
V
FRM
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