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TYPICALCHARACTERISTICS
30
20
0 100 200
40
60
300 400 500
600
i
v  − transient 输入 voltage − v
0
10
50
 ✁ ✁ 
 ✁ ✁ 
t
r
= 1 ms
T
一个
= 25
°
C
V
I
= 14 v + 46e
(−t/0.230)
为 t
≥
5 ms
t − time − ms
I
L
− 加载 电流 − 毫安
0.2
0.1
0
0 10
等效串联电阻 − 相等的 序列 阻抗 −
0.3
0.4
0.5
0.024
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
区域 的 最好的 稳固
80 120 150
潜在的 instability 区域
C
L
= 10-
µ
f tantalum 电容
T
一个
= − 40
°
c 至 125
°
C
潜在的 instability 区域
Ω
30
20
10
0
0 2 4
40
50
60
6 8 12 1410
V
I
− 输入 voltage − v
− 输入 电流 − mai
I
20
15
5
0
0 1 2 3
− 输入 电流 − 毫安
25
35
40
4 5 6
30
10
I
I
V
I
− 输入 voltage − v
tl750l,tl751lseries
低-dropoutvoltageregulators
SLVS017S–SEPTEMBER1987–REVISEDAUGUST2005
TL750L05TRANSIENTINPUTVOLTAGE
EQUIVALENTSERIESRESISTANCEvs
vsTIME
LOADCURRENT
figure1.figure2.
TL750L05TL750L12
INPUTCURRENTINPUTCURRENT
vsvs
INPUTVOLTAGEINPUTVOLTAGE
figure3.figure4.
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www.德州仪器.com TYPICALCHARACTERISTICS 30 20 0 100 200 40 60 300 400 500 600 i v − transient 输入 voltage − v 0 10 50 ✁ ✁ ✁ ✁ t r = 1 ms T 一个 = 25 ° C V I = 14 v + 46e (−t/0.230) 为 t ≥ 5 ms t − time − ms I L − 加载电流 − 毫安 0.2 0.1 0 0 10 等效串联电阻 − 相等的序列阻抗 − 0.3 0.4 0.5 0.024 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 区域的最好的稳固 80 120 150 潜在的 instability 区域 C L = 10- µ f tantalum 电容 T 一个 = − 40 ° c 至 125 ° C 潜在的 instability 区域 Ω 30 20 10 0 0 2 4 40 50 60 6 8 12 1410 V I − 输入 voltage − v − 输入电流 − mai I 20 15 5 0 0 1 2 3 − 输入电流 − 毫安 25 35 40 4 5 6 30 10 I I V I − 输入 voltage − v tl750l,tl751lseries 低-dropoutvoltageregulators SLVS017S–SEPTEMBER1987–REVISEDAUGUST2005 TL750L05TRANSIENTINPUTVOLTAGE EQUIVALENTSERIESRESISTANCEvs vsTIME LOADCURRENT figure1.figure2. TL750L05TL750L12 INPUTCURRENTINPUTCURRENT vsvs INPUTVOLTAGEINPUTVOLTAGE figure3.figure4. 6

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