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资料编号:652680
 
资料名称:TLP371
 
文件大小: 189.7K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor
 
 


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tlp371,tlp372
2002-09-25
2
最大 比率
(ta = 25°c)
典型的 标识 比率 单位
向前 电流 I
F
60 毫安
向前 电流 减额 (ta
39°c)
I
F
/ °c
0.7 毫安 / °c
顶峰 向前 电流 (100µs 脉冲波, 100pps) I
FP
1 一个
反转 电压 V
R
5 v
LED
接合面 温度 T
j
125 °c
集电级
发射级 电压 V
CEO
300 v
集电级
根基 电压 (tlp371) V
CBO
300 v
发射级
集电级 电压 V
ECO
0.3 v
发射级
根基 电压 (tlp371) V
EBO
7 v
集电级 电流 I
C
150 毫安
电源 消耗 P
C
300 mw
电源 消耗 减额 (ta
25°c)
P
C
/ °c
3.0 mw / °c
探测器
接合面 温度 T
j
125 °c
存储 温度 范围 T
stg
55~125 °c
运行 温度 范围 T
opr
55~100 °c
含铅的 焊接 温度 (10 s) T
出售
260 °c
总的 包装 电源 消耗 P
T
350 mw
总的 包装 电源 消耗 减额 (ta
25°c)
P
T
/ °c
3.5 mw / °c
分开 电压 (交流, 1min., r.h.
60%) (便条 1) BV
S
5000 电压有效值
(便条 1): 设备 考虑 一个 二 终端 设备: 管脚 1, 2 和 3 短接 一起 和 管脚 4,5 和 6 短接
一起.
推荐 运行 情况
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 V
CC
200 V
向前 电流 I
F
16 25 毫安
集电级 电流 I
C
120 毫安
运行 温度 T
opr
25
85 °c
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