tlp371,tlp372
2002-09-25
3
单独的 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压 V
F
I
F
= 10 毫安 1.0 1.15 1.3 V
反转 电流 I
R
V
R
= 5 v
―
―
10 µa
LED
电容 c
T
v = 0, f = 1 mhz
―
30
―
pF
集电级
发射级
损坏 电压
V
(br) ceo
I
C
= 0.1 毫安 300
―
―
V
发射级
集电级
损坏 电压
V
(br) eco
I
E
= 0.1 毫安 0.3
―
―
V
集电级
根基
损坏 电压 (tlp371)
V
(br) cbo
I
C
= 0.1 毫安 300
―
―
V
发射级
根基
损坏 电压 (tlp371)
V
(br) ebo
I
E
= 0.1 毫安 7
―
―
V
V
CE
= 200 v
―
10 200 nA
集电级 dark 电流 I
CEO
V
CE
= 200 v
ta = 85 °c
―
―
20 µa
集电级 dark 电流 (tlp371) I
CER
V
CE
= 200 v
ta = 85 °c,
R
是
= 10 m
Ω
―
0.5 10 µa
集电级 dark 电流 (tlp371) I
CBO
V
CE
= 200 v
―
0.1
―
nA
直流 向前 电流 增益 (tlp371) h
FE
V
CE
= 5 v,
I
C
= 10 毫安
―
7000
―
―
探测器
电容 (collecter 至 发射级) C
CE
v = 0, f = 1 mhz
―
10
―
pF
结合 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电流 转移 比率 I
C
/ i
F
I
F
= 1 毫安, v
CE
= 1 v 1000 4000
―
%
saturated ctr I
C
/ i
f (sat)
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 1 v 500
―
―
%
根基 photo
电流 (tlp371) I
铅
I
F
= 1 毫安, v
CB
= 1 v
―
6
―
µA
I
C
= 10 毫安, i
F
= 1 毫安
―
―
1.0
集电级
发射级
饱和 电压
V
ce (sat)
I
C
= 100 毫安, i
F
= 10 毫安 0.3
―
1.2
V
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