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资料编号:652778
 
资料名称:TLP595G
 
文件大小: 318.89K
   
说明
 
介绍:
The Toshiba TLP595G consists of an aluminum gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a photo-MOSFET
 
 


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toshiba 公司
TLP595G
分开 特性 (ta = 25
°
c)
切换 特性 (ta = 25
°
c)
图示 1. 切换 时间 测试 电路
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 mx. 单位
电容 输入 至 输出
C
S
V
S
= 0, f = 1mhz
0.8 pF
分开 阻抗 R
S
V
S
= 500v, r.h.
60%
5 x 10
10
10
14
分开 电压
BV
S
交流, 1 分钟
2500
V
rms
交流, 1 第二 在 oil
5000
直流, 1 分钟 在 oil 5000 V
直流
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 mx. 单位
转变-在 时间
t
V
DD
= 20ma, r
L
= 200
I
F
= 10ma (便条 3)
0.3 1.0
ms
转变-止 时间 t
0.2 1.0
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