TLP532_集成电路资料查询网

tlp531,tlp532
2002-09-25
3
单独的 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压 V
F
I
F
= 10ma 1.0 1.15 1.3 V
反转 电流 I
R
V
R
= 5v
―
―
10 µa
LED
电容 c
T
 v = 0, f = 1mhz
―
30
―
pF
集电级

发射级
损坏 电压
V
(br) ceo
I
C
= 0.5ma 55
―
―
V
发射级

集电级
损坏 电压
V
(br) eco
I
E
= 0.1ma 7
―
―
V
集电级

根基
损坏 电压 (tlp531)
V
(br) cbo
I
C
= 0.1ma 80
―
―
V
发射级

根基
损坏 电压 (tlp531)
V
(br) ebo
I
E
= 0.1ma 7
―
―
V
V
CE
= 24v
―
10 100 nA
集电级 dark 电流 I
CEO
V
CE
= 24v, ta = 85°c
―
2 50 µa
探测器
电容 (集电级 至 发射级) C
CE
 v = 0, f = 1mhz
―
10
―
pF
结合 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
50 200 600
50
―
150
50
―
300
100
―
300
100
―
600
电流 转移 比率 I
C
/ i
F
I
F
= 5ma, v
CE
= 5v
分级 y
分级 yg
分级 gr
分级 gb
分级 bl
200
―
600
%
集电级

发射级
饱和 电压
V
ce (sat)
I
C
= 2.4ma, i
F
= 8ma
―
―
0.4 V

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tlp531,tlp532 2002-09-25 3 单独的电的特性 (ta = 25°c) 典型的标识测试情况最小值典型值最大值单位向前电压 V F I F = 10ma 1.0 1.15 1.3 V 反转电流 I R V R = 5v ― ― 10 µa LED 电容 c T v = 0, f = 1mhz ― 30 ― pF 集电级  发射级损坏电压 V (br) ceo I C = 0.5ma 55 ― ― V 发射级  集电级损坏电压 V (br) eco I E = 0.1ma 7 ― ― V 集电级  根基损坏电压 (tlp531) V (br) cbo I C = 0.1ma 80 ― ― V 发射级  根基损坏电压 (tlp531) V (br) ebo I E = 0.1ma 7 ― ― V V CE = 24v ― 10 100 nA 集电级 dark 电流 I CEO V CE = 24v, ta = 85°c ― 2 50 µa 探测器电容 (集电级至发射级) C CE v = 0, f = 1mhz ― 10 ― pF 结合电的特性 (ta = 25°c) 典型的标识测试情况最小值典型值最大值单位 50 200 600 50 ― 150 50 ― 300 100 ― 300 100 ― 600 电流转移比率 I C / i F I F = 5ma, v CE = 5v 分级 y 分级 yg 分级 gr 分级 gb 分级 bl 200 ― 600 % 集电级  发射级饱和电压 V ce (sat) I C = 2.4ma, i F = 8ma ― ― 0.4 V

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