二月.1999
–1
10
–2
10
–3
10
0
10
0
10
1
10
1
10
0
10
–1
10
4
10
3
10
2
10
1
10
4
10
3
10
2
10
1
10
753275327532
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
4
7
5
4
V
GT
=3.0v
I
GT
=
100mA
I
FGM
=2.0a
P
GM
=5W
V
FGM
=10V
V
GD
=0.25v
P
fg(av)
=
0.50w
T
j
=25°C
705030207532
0
800
4000
1600
2400
3200
101 100
753275327532
0.200
0
7532
0.025
0.050
0.075
0.100
0.125
0.150
0.175
0.6
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0.8 1.2 2.41.6 2.0
T
j
=150°C
0
0 200
200
40
40 80 120
80
120
160
160
180
20
60
100
140
θ
=30°
120°
90°
180°
60°
θ
360°
resistive,
inductive 加载
每 单独的
元素
100
0 200
150
110
40 80 120
120
130
140
160
θ
360°
θ
=30° 60° 120°90° 180°
每 单独的 元素
resistive,
inductive 加载
mitsubishi thyristor modules
tm150sa-6
中等 电源 一般 使用
非-insulated 类型
效能 曲线
最大 在-状态 典型的 评估 surge (非-repetitive)
在-状态 电流
门 特性 最大 瞬时 热的
阻抗 (接合面 至 情况)
在-状态 电流 (一个)门 电压 (v)
surge (非-repetitive)
在-状态 电流 (一个)
瞬时 热的 阻抗
(
°
c/w)
传导 时间
(循环 在 60hz)
在-状态 电压 (v)
门 电流 (毫安) 时间 (s)
最大 平均 在-平台
电源 消耗
(单独的 阶段 halfwave)
限制的 值 的 这 平均
在-状态 电流
(单独的 阶段 halfwave)
平均 在-状态 电流 (一个) 平均 在-状态 电流 (一个)
平均 在-状态 电源
消耗 (w)
情况 温度 (
°
c)
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