首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:655632
 
资料名称:TN0201L
 
文件大小: 46.19K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs
 
 


: 点此下载
  浏览型号TN0201L的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号TN0201L的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号TN0201L的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
tn0201l/0401l, vn0300l/ls
vishay siliconix
www.vishay.com
11-2
文档 号码: 70199
s-04279
rev. e, 16-jul-01




限制
TN0201L
TN0401L
VN0300L
VN0300LS
参数 标识 测试 情况 Typ
一个
最小值 最大值 最小值 最大值 单位
静态的
TN0201L 55 20
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v
I = 10
一个
TN0401L 55 40
I
D
= 10
一个
30
V
V
DS
= v
GS
, i
D
= 0.25 毫安 1.4 0.5 2
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安 1.5 0.8 2.5
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
10
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
30 v
100
nA
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v 10
T
J
= 125
C
500
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 0.8 x v
(br)dss
, v
GS
= 0 v 1
一个
T
J
= 125
C
100
V
DS
= 10 v, v
GS
= 4.5 v 0.9 0.25
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 10 v, v
GS
= 10 v 3.5 1 1
一个
V
GS
= 3.5 v, i
D
= 0.05 一个 1.8 4
V
GS
= 5 v, i
D
= 0.3 一个 1.2 3.3
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 0.25 一个 1.4 2
流-源 在-阻抗
b
r
ds(在)
T
J
= 125
C
2.6 4
V
GS
= 10 v, i
D
= 1 一个 0.85 1.2 1.2
T
J
= 125
C
1.6 2.4
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 10 v, i
D
= 0.5 一个 500 200 200 mS
动态
输入 电容 C
iss
38 60 100
输出 电容 C
oss
V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz
33 50 95
pF
反转 转移 电容 C
rss
8 15 25
切换
c
转变-在 时间 t
V
DD
= 15 v, r
L
= 14
10 30 30
转变-止 时间 t
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v
R
G
= 25
13 30 30
ns
注释
一个. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.. VNDQ03
b. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
c. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com