TN0201T
vishay siliconix
文档 号码: 70200
s-04279
—
rev. e, 16-jul-01
www.vishay.com
11-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
输出 特性 转移 特性
在-阻抗 vs. 门-源 电压 在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
–
流-至-源 电压 (v)
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 v
3 v
5 v
4 v
V
GS
–
门-至-源 电压 (v)
T
J
= 125
C
–
55
C
I
D
–
流 电流 (一个)V
GS
–
门-至-源 电压 (v)
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0 4 8 12 16 20
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
2 v
25
C
I
D
@ 300 毫安
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 10 v
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
–
接合面 温度 (
c)
0.65
0.85
1.05
1.25
1.45
1.65
–
50
–
25 0 25 50 75 100 125 150
V
GS
= 10 v @ 300 毫安
V
GS
= 4.5 v
@ 100 毫安
门槛 电压 variance 在 温度
–
0.4
–
0.3
–
0.2
–
0.1
–
0.0
0.1
0.2
–
50
–
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
T
J
–
接合面 温度 (
c)
I
D
–
流 电流 (一个)
I
D
–
流 电流 (一个)
r
ds(在)
–
在-阻抗 (
Ω )
r
ds(在)
–
在-阻抗 (
Ω )
r
ds(在)
–
在-阻抗 (
Ω )
(
normalized)
V
gs(th)
–
variance (v)
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