TN22
5/7
i(一个).i
2
t(一个
2
s)
TSM
Tj 最初的 = 25 C
o
I
TSM
tp(ms)
I
2
t
100
10
10
1
1
图.7 :
非 repetitive surge 顶峰 在-状态 电流
为 一个 sinusoidal 脉冲波 和 宽度 : tp
=
10ms, 和
相应的 值 的 I
2
t.
0.1
110
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
v(v)
TM
i(一个)
TM
Tj=25 C
o
Tj=110 C
o
Tj=110 C
Vto =2.50v
Rt =0.235
o
图.8 :
在-状态 特性 (最大 值).
1 10 100 1000
1
10
100
500
rgk( )
i(毫安)
H
Tj=25 C
o
图.9 :
相关的 变化 的 支持 电流 相比
门-cathode 阻抗 (典型 值).
i(一个)
t(rms)
tp(s)
0.1
1 10 100
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Tc 最初的 = 25 C
o
Tc 最初的 = 45 C
o
Tc 最初的 = 65 C
o
图.10 :
最大 容许的 RMS 电流 相比
时间 传导 和 最初的 情况 温度.
便条 : 计算 制造 fot Tj 最大值 = 135°C (这
失败 模式 将 是 短的 电路)
tn 2 2 - 1500 b (-tr)
STARTLIGHT
设备
I 最大值
2: 1.5 毫安
GT
V 最大值:
1500: 1500V
BR
I 最大值
2: 2 一个
t(rms)
包装:
b: DPAK
h: IPAK
包装 模式:
blank: Tube
-tr: DPAK 录音带 &放大; 卷轴
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