首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:655774
 
资料名称:TN2504N8
 
文件大小: 477.13K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
 
 


: 点此下载
  浏览型号TN2504N8的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号TN2504N8的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号TN2504N8的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
TN2504
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
BV
DSS
40 V V
GS
= 0v, i
D
= 2ma
V
gs(th)
门 门槛 电压 0.6 1.6 V V
GS
= v
DS
, i
D
= 1ma
V
gs(th)
改变 在 v
gs(th)
和 温度 -3.8 -4.5 mv/
°
CV
GS
= v
DS
, i
D
= 1ma
I
GSS
门 身体 泄漏 100 nA V
GS
=
±
20v, v
DS
= 0v
I
DSS
零 门 电压 流 电流 10
µ
AV
GS
= 0v, v
DS
= 最大值 比率
1mA V
GS
= 0v, v
DS
= 0.8 最大值 比率
T
一个
= 125
°
C
I
d(在)
在-状态 流 电流 1.0 1.7 V
GS
= 5v, v
DS
= 15v
4.0 4.5 V
GS
= 10v, v
DS
= 15v
R
ds(在)
1.25 1.5
V
GS
= 5v, i
D
= 300ma
0.8 1.0 V
GS
= 10v, i
D
= 1.5a
R
ds(在)
改变 在 r
ds(在)
和 温度 0.75 %/
°
CV
GS
= 10v, i
D
= 1.5a
G
FS
向前 跨导 0.5 0.7 V
DS
= 15v, i
D
= 2.0a
C
ISS
输入 电容 70 125
C
OSS
一般 源 输出 电容 50 70 pF
C
RSS
反转 转移 电容 20 25
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 10
t
r
上升 时间 10
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 25
t
f
下降 时间 13
V
SD
二极管 向前 电压 漏出 1.2 1.8 V V
GS
= 0v, i
SD
= 1.5a
t
rr
反转 恢复 时间 300 ns V
GS
= 0v, i
SD
= 1a
注释:
1. 所有 d.c. 参数 100% 测试 在 25
°
c 除非 否则 陈述. (脉冲波 测试: 300
µ
s 脉冲波, 2% 职责 循环.)
2. 所有 一个.c. 参数 样本 测试.
一个
热的 特性
包装 I
D
(持续的)* I
D
(搏动) 电源 消耗
θ
jc
θ
ja
I
DR
*I
DRM
@ t
一个
= 25
°
C
°
c/w
°
c/w
至-243aa 0.89a 4.5a 1.6w
15 78
0.89a 4.5a
*
I
D
(持续的) 是 限制 用 最大值 评估 t
j
.
挂载 在 fr5 板, 25mm x 25mm x 1.57mm. 重大的 p
D
增加 可能 在 陶瓷的 基质.
电的 特性
(@ 25
°
c 除非 否则 指定)
流-至-源
损坏 电压
静态的 流-至-源
在-状态 阻抗
V
DD
= 20v,
I
D
= 500ma,
R
GEN
= 25
ns
V
GS
= 0v, v
DS
= 20v
f = 1 mhz
90%
10%
90%
90%
10%
10%
脉冲波
发生器
V
DD
R
L
输出
d.u.t.
t
(在)
t
d(在)
t
(止)
t
d(止)
t
F
t
r
输入
输入
输出
10V
V
DD
R
gen
0V
0V
切换 波形 和 测试 电路
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com