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资料编号:655789
 
资料名称:TN28F020-90
 
文件大小: 878.8K
   
说明
 
介绍:
28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
E
28F020
11
表格 3. command 定义
Command
总线
循环
Req’d 第一 总线 循环 第二 总线 循环
运作
(1)
地址
(2)
数据
(3)
运作
(1)
地址
(2)
数据
(3)
读 记忆 1 X 00H
读 intelligent
identifier 代号
(4)
3 IA 90H IA ID
设置-向上
擦掉/擦掉
(5)
2 X 20H X 20H
擦掉 核实
(5)
2 EA A0H X EVD
设置-向上 程序/
程序
(6)
2 X 40H PA PD
程序 核实
(6)
2 X C0H X PVD
重置
(7)
2 X FFH X FFH
注释:
1. 总线 行动 是 定义 在 表格 2.
2. ia = identifier 地址: 00h 为 生产者 代号, 01h 为 设备 代号.
ea = 擦掉 地址: 地址 的 记忆 location 至 是 读 在 擦掉 核实.
pa = 程序 地址: 地址 的 记忆 location 至 是 编写程序.
地址 是 latched 在 这 下落 边缘 的 这 写-使能 脉冲波.
3. id = identifier 地址: 数据 读 从 location ia 在 设备 identification (mfr = 89h, 设备 = bdh).
evd = 擦掉 核实 数据: 数据 读 从 location ea 在 擦掉 核实.
pd = 程序 数据: 数据 至 是 编写程序 在 location pa. 数据 是 latched 在 这 rising 边缘 的 写-使能.
pvd = 程序 核实 数据: 数据 读 从 location pa 在 程序 核实. pa 是 latched 在 这 程序 command.
4. 下列的 这 读 intelligent id command, 二 读 行动 进入 生产者 和 设备 代号.
5. 图示 5 illustrates 这
28f020 快-擦掉 algorithm
flowchart.
6. 图示 4 illustrates 这
28f020 快-脉冲波 程序编制 algorithm
flowchart.
7. 这 第二 总线 循环 必须 是 followed 用 这 desired command 寄存器 写.
2.2.2.1 读 command
当 v
PP
是 高, 为 erasure 和 程序编制,
记忆 内容 能 是 accessed 通过 这 读
command. 这 读 运作 是 initiated 用 writing
00h 在 这 command 寄存器. 微处理器
循环 retrieve 排列 数据. 这 设备 仍然是
使能 为 读 直到 这 command 寄存器
内容 是 改变.
这 default 内容 的 这 寄存器 在之上 v
PP
电源-向上 是 00h. 这个 default 值 确保 那
非 spurious 改变 的 记忆 内容 occurs
在 这 v
PP
电源 转变. 在哪里 这 v
PP
供应 是 hardwired 至 这 28f020, 这 设备
powers-向上 和 仍然是 使能 为 读 直到 这
command 寄存器 内容 是 changed. 谈及 至
交流 特性
读-仅有的 行动
和 波形 为 明确的 定时 参数.
2.2.2.2 intelligent identifier command
flash memories 是 将 为 使用 在
产品 在哪里 这 local cpu 改变 记忆
内容. 作 此类, 生产者 和 设备 代号
必须 是 accessible 当 这 设备 resides 在 这
目标 系统. prom programmers 典型地
进入 signature 代号 用 raising 一个
9
至 一个 高
电压. 不管怎样, multiplexing 高 电压 面向
地址 线条 是 不 一个 desired系统 设计
实践.
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