TNY253G_集成电路资料查询网

C
7/01
tny253/254/255
11
情况
参数 标识
源 = 0 v; t
J
= -40 至 125
°
C
看 图示 14
(除非 否则 指定)
di/dt = 12.5 毫安/
µ
s
T
J
= 25
°
C
di/dt = 25 毫安/
µ
s
T
J
= 25
°
C
di/dt = 80 毫安/
µ
s
T
J
= 25
°
C
135 150 165
230 255 280
255 280 310
170 240
170 215
200 250
100 150
125 135 145
70
31 36
50 60
23 27
37 45
50
700
50
50
I
限制
便条 f
I
INIT
t
LEB
t
ILD
R
ds(在)
I
DSS
BV
DSS
t
R
t
F
毫安
毫安
ns
ns
°
C
°
C
Ω
µ
一个
V
ns
ns
电流 限制
最初的 电流
限制
leading 边缘
blanking 时间
电流 限制
延迟
热的 关闭
温度
热的 关闭
Hysteresis
在-状态
阻抗
止-状态
泄漏
损坏
电压
上升 时间
下降 时间
最小值
典型值 最大值
单位
电路 保护
输出
V
BP
= 6.2 v, v
EN
= 0 v,
V
DS
= 560 v, t
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
tny253/tny254
I
D
= 25 毫安
量过的 和 图示 10
图式.
TNY253
TNY254
TNY255
V
BP
= 6.2 v, v
EN
= 0 v,
I
DS
= 100
µ
一个, t
J
= 25
°
C
TNY253
TNY254
TNY255
TNY253
TNY254
TNY255
T
J
= 25
°
C
看 便条 g
TNY255
I
D
= 33 毫安
看  图示 17
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
0.65 x
I
限制(最小值)

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C 7/01 tny253/254/255 11 情况参数标识源 = 0 v; t J = -40 至 125 ° C 看图示 14 (除非否则指定) di/dt = 12.5 毫安/ µ s T J = 25 ° C di/dt = 25 毫安/ µ s T J = 25 ° C di/dt = 80 毫安/ µ s T J = 25 ° C 135 150 165 230 255 280 255 280 310 170 240 170 215 200 250 100 150 125 135 145 70 31 36 50 60 23 27 37 45 50 700 50 50 I 限制便条 f I INIT t LEB t ILD R ds(在) I DSS BV DSS t R t F 毫安毫安 ns ns ° C ° C Ω µ 一个 V ns ns 电流限制最初的电流限制 leading 边缘 blanking 时间电流限制延迟热的关闭温度热的关闭 Hysteresis 在-状态阻抗止-状态泄漏损坏电压上升时间下降时间最小值典型值最大值单位电路保护输出 V BP = 6.2 v, v EN = 0 v, V DS = 560 v, t J = 125 ° C T J = 25 ° C T J = 100 ° C T J = 25 ° C T J = 100 ° C tny253/tny254 I D = 25 毫安量过的和图示 10 图式. TNY253 TNY254 TNY255 V BP = 6.2 v, v EN = 0 v, I DS = 100 µ 一个, t J = 25 ° C TNY253 TNY254 TNY255 TNY253 TNY254 TNY255 T J = 25 ° C 看便条 g TNY255 I D = 33 毫安看图示 17 T J = 25 ° C T J = 25 ° C 0.65 x I 限制(最小值)

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