TOP414_集成电路资料查询网

top412/414
一个
4/99
10
R
ds(在)
I
DSS
BV
DSS
t
R
t
F
V
c(调往)
I
CD1
I
CD2
在-状态
阻抗
止-状态
电流
损坏
电压
上升
时间
下降
时间
流 供应
电压
调往 调整器
电压
调往 调整器
温度 逐渐变化
控制 供应/
释放 电流
Ω
µ
一个
V
ns
ns
V
V
ppm/
°
C
毫安
输出
供应
情况
(除非 否则 指定)
规格 标识
看 图示 11
最小值 典型值 最大值 单位
源 = 0 v
T
J
= -40 至 125
°
C
2.6 3.0
4.2 5.0
1.7 2.0
2.8 3.3
500
350
100
50
36
5.5 5.8 6.1
±
50
0.6 1.2 1.6
0.8 1.4 1.8
0.5 0.8 1.1
TOP412
TOP414
TOP412 T
J
= 25
°
C
I
D
= 270 毫安 T
J
= 100
°
C
TOP414 T
J
= 25
°
C
I
D
= 400 毫安 T
J
= 100
°
C
设备 在 latched 关闭
I
C
= 4 毫安, v
DS
= 280 v, t
一个
= 125
°
C
设备 在 latched 关闭
I
C
= 4 毫安, i
D
= 500
µ
一个, t
一个
= 25
°
C
量过的 和
图示 7 图式
量过的 和
图示 7 图式
看 便条 b
I
C
= 4 毫安
输出 场效应晶体管 使能
输出 场效应晶体管 无能

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top412/414 一个 4/99 10 R ds(在) I DSS BV DSS t R t F V c(调往) I CD1 I CD2 在-状态阻抗止-状态电流损坏电压上升时间下降时间流供应电压调往调整器电压调往调整器温度逐渐变化控制供应/ 释放电流 Ω µ 一个 V ns ns V V ppm/ ° C 毫安输出供应情况 (除非否则指定) 规格标识看图示 11 最小值典型值最大值单位源 = 0 v T J = -40 至 125 ° C 2.6 3.0 4.2 5.0 1.7 2.0 2.8 3.3 500 350 100 50 36 5.5 5.8 6.1 ± 50 0.6 1.2 1.6 0.8 1.4 1.8 0.5 0.8 1.1 TOP412 TOP414 TOP412 T J = 25 ° C I D = 270 毫安 T J = 100 ° C TOP414 T J = 25 ° C I D = 400 毫安 T J = 100 ° C 设备在 latched 关闭 I C = 4 毫安, v DS = 280 v, t 一个 = 125 ° C 设备在 latched 关闭 I C = 4 毫安, i D = 500 µ 一个, t 一个 = 25 ° C 量过的和图示 7 图式量过的和图示 7 图式看便条 b I C = 4 毫安输出场效应晶体管使能输出场效应晶体管无能

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