TOP202YAI_集成电路资料查询网

top200-4/14
D
7/96
12
TOP200 T
j
= 25
°
C
I
D
= 50 毫安 T
j
= 100
°
C
TOP201 T
j
= 25
°
C
I
D
= 100 毫安 T
j
= 100
°
C
TOP202 T
j
= 25
°
C
I
D
= 150 毫安 T
j
= 100
°
C
TOP203 T
j
= 25
°
C
I
D
= 200 毫安 T
j
= 100
°
C
TOP214 T
j
= 25
°
C
I
D
= 250 毫安 T
j
= 100
°
C
TOP204 T
j
= 25
°
C
I
D
= 300 毫安 T
j
= 100
°
C
设备 在 latched 关闭
I
C
= 4 毫安, v
DS
= 560 v, t
一个
= 125
°
C
设备 在 latched 关闭
I
C
= 4 毫安, i
D
= 500
µ
一个, t
一个
= 25
°
C
量过的 和
图示 8 图式
量过的 和
图示 8 图式
看 便条 2
I
C
= 4 毫安
输出                 top200/1/2
场效应晶体管 使能      top203/4/14
输出 场效应晶体管 无能
R
ds(在)
I
DSS
BV
DSS
t
r
t
f
V
c(调往)
I
CD1
I
CD2
15.6 18.0
25.7 29.7
7.8 9.0
12.9 14.9
5.2 6.0
8.6 9.9
3.9 4.5
6.4 7.5
3.1 3.6
5.2 6.0
2.6 3.0
4.3 5.0
500
700
100
50
36
5.5 5.8 6.1
±
50
0.6 1.2 1.6
0.7 1.4 1.8
0.5 0.8 1.1
在-状态
阻抗
止-状态
电流
损坏
电压
上升
时间
下降
时间
流 供应
电压
调往 调整器
电压
调往 调整器
温度 逐渐变化
控制 供应/
释放 电流
Ω
µ
一个
V
ns
ns
V
V
ppm/˚c
毫安
输出
供应
情况
(除非 否则 指定)
参数 标识
看 图示 14
单位
源 = 0 v
T
j
= -40 至 125
°
C
最小值 典型值 最大值

标　题:
内　容:
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top200-4/14 D 7/96 12 TOP200 T j = 25 ° C I D = 50 毫安 T j = 100 ° C TOP201 T j = 25 ° C I D = 100 毫安 T j = 100 ° C TOP202 T j = 25 ° C I D = 150 毫安 T j = 100 ° C TOP203 T j = 25 ° C I D = 200 毫安 T j = 100 ° C TOP214 T j = 25 ° C I D = 250 毫安 T j = 100 ° C TOP204 T j = 25 ° C I D = 300 毫安 T j = 100 ° C 设备在 latched 关闭 I C = 4 毫安, v DS = 560 v, t 一个 = 125 ° C 设备在 latched 关闭 I C = 4 毫安, i D = 500 µ 一个, t 一个 = 25 ° C 量过的和图示 8 图式量过的和图示 8 图式看便条 2 I C = 4 毫安输出 top200/1/2 场效应晶体管使能 top203/4/14 输出场效应晶体管无能 R ds(在) I DSS BV DSS t r t f V c(调往) I CD1 I CD2 15.6 18.0 25.7 29.7 7.8 9.0 12.9 14.9 5.2 6.0 8.6 9.9 3.9 4.5 6.4 7.5 3.1 3.6 5.2 6.0 2.6 3.0 4.3 5.0 500 700 100 50 36 5.5 5.8 6.1 ± 50 0.6 1.2 1.6 0.7 1.4 1.8 0.5 0.8 1.1 在-状态阻抗止-状态电流损坏电压上升时间下降时间流供应电压调往调整器电压调往调整器温度逐渐变化控制供应/ 释放电流 Ω µ 一个 V ns ns V V ppm/˚c 毫安输出供应情况 (除非否则指定) 参数标识看图示 14 单位源 = 0 v T j = -40 至 125 ° C 最小值典型值最大值

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	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com