TPCS8212
2002-01-17
3
电的 特性
(ta
=
==
=
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
10 v, v
DS
=
0 v
±
10
µ
一个
流 截-止 电流 I
DSS
V
DS
=
20 v, v
GS
=
0 v
10
µ
一个
V
(br) dss
I
D
=
10 毫安, v
GS
=
0 v
20
流-源 损坏 电压
V
(br) dsx
I
D
=
10 毫安, v
GS
=
−
12 v 8
V
门 门槛 电压 V
th
V
DS
=
10 v, i
D
=
200
µ
一个 0.5
1.2 V
V
GS
=
2.0 v, i
D
=
4.2 一个
26 45
V
GS
=
2.5 v, i
D
=
4.2 一个
21 29
流-源 在 阻抗 R
ds (在)
V
GS
=
4.0 v, i
D
=
4.8 一个
16 24
m
Ω
向前 转移 admittance |Y
fs
| v
DS
=
10 v, i
D
=
3.0 一个
5.5 11
S
输入 电容 C
iss
1590
反转 转移 电容 C
rss
180
输出 电容 C
oss
V
DS
=
10 v, v
GS
=
0 v, f
=
1 mhz
200
pF
上升 时间 t
r
6.4
转变-在 时间 t
在
22
下降 时间 t
f
10
切换 时间
转变-止 时间 t
止
职责
<
=
1%, t
w
=
10
µ
s
42
ns
总的 门 承担
(门-源 加 门-流)
Q
g
20
门-源 承担 1 Q
gs1
3.5
门-流 (“miller”) 承担 Q
gd
V
DD
∼
−
16 v, v
GS
=
5 v, i
D
=
6 一个
4.5
nC
源-流 比率 和 特性
(ta
=
==
=
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 反转 电流 脉冲波 (便条 1) I
DRP
24 一个
向前 电压 (二极管) V
DSF
I
DR
=
6 一个, v
GS
=
0 v
−
1.2 v
R
L
=
3.3
Ω
V
DD
∼
−
10 v
0 v
V
GS
5 v
4.7
Ω
I
D
=
3 一个
V
输出
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