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资料编号：657196
 
资料名称：TPC8010-H
 
文件大小： 342.43K
   
说明：
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII)
 
 


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tpc8010-h
2002-03-12
4
向前 转移 admittance |Y
fs
| (s)
流-源 电压 v
DS
(v)
流-源 电压 v
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流 I
D
(一个)
流-源 电压 v
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流 I
D
(一个)
门-源 电压 V
GS
(v)
I
D
– v
GS
流 电流 I
D
(一个)
门-源 电压 V
GS
(v)
V
DS
– v
GS
流 电流 I
D
(一个)
|Y
fs
| – i
D
流 电流 I
D
(一个)
流-源 在 阻抗
R
DS
(在)
(m
Ω
)
R
ds (在)
– i
D
0
2
4
6
8
10
0 2 4 6 8 10
一般
源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
V
GS
=
2 v
2.4
2.5
3
10
2.6
2.2
5
2.8
2.7
2.3
4
4
8 12 16 20
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
2.6
2.5
2.4
2.3
V
GS
=
2.1 v
2.7
10
3
0
8
12
16
20
4
0 4
2.8
5
0
0 1 2 3 4 5
10
20
30
40
100
Ta
=
−
55°C
一般 源
V
DS
=
10 v
脉冲波 测试
25
0.6
0
0.2
0.4
0.8
1
0 2 4 6 10 12 8
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
I
D
=
11 一个
5.5
2.5
一般 源
V
DS
=
10 v
脉冲波 测试
0.1 110 100
0.3
1
3
10
30
100
Ta
=
−
55°C
100
25
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
30 10 3 10.30.1
1
3
10
30
100
10
V
GS
=
4.5 v
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