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TPC8209
2003-02-18
5
R
ds (在)
– ta
包围的 温度  ta  (°c)
流-源 在 阻抗  R
ds (在)
(

)
I
DR
– v
DS
流-源 电压  V
DS
(v)
流 反转 电流  I
DR
(一个)
电容 – v
DS
流-源 电压  V
DS
(v)
电容  c  (pf)
V
th
– ta
包围的 温度  ta  (°c)
门 门槛 电压  V
th
(v)
P
D
– ta
流 电源 消耗  P
D
(w)
包围的 温度  ta  (°c)
0
0
0.5
1.0
1.5
2
50 100 150 200
(1) 设备 挂载 在 一个
glass-环氧的 板 (一个)
(便条 2a)
(2) 设备 挂载 在 一个
glass-环氧的 板 (b)
(便条 2b)
t

10 s
(1)
(2)
(3)
(4)
动态 输入/输出 特性
流-源 电压  V
DS
(v)
门-源 电压  v
GS
(v)
总的 门 承担  q
g
(nc)
0
20
40
60
80
100
-80 -40 0 40 80 120 160
10V
VGS=4V
1.3
id=1.3/2.5/5.0a
2.5
id=5.0a
一般 源
脉冲波 测试
0.1
1
10
100
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
10
5
3
1
vgs=0v,-1v
---
-
-
一般 源
Ta

25°C
脉冲波 测试
10
100
1000
10000
0.1 1 10 100
Ciss
Crss
Coss
一般 源
V
GS

10 v
I
D

1 毫安
脉冲波 测试
0
1
2
3
4
5
-80 -40 0 40 80 120 160
一般 源
V
DS

10 v
f

1 毫安
脉冲波 测试
0
10
20
30
40
0 5 10 15 20 25 30
0
10
20
30
VDS
VGS
VDD=24V
12
6
40
一般 源
Ta

25°C
I
D

8 一个
脉冲波 测试

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TPC8209 2003-02-18 5 R ds (在) – ta 包围的温度 ta (°c) 流-源在阻抗 R ds (在) (  ) I DR – v DS 流-源电压 V DS (v) 流反转电流 I DR (一个) 电容 – v DS 流-源电压 V DS (v) 电容 c (pf) V th – ta 包围的温度 ta (°c) 门门槛电压 V th (v) P D – ta 流电源消耗 P D (w) 包围的温度 ta (°c) 0 0 0.5 1.0 1.5 2 50 100 150 200 (1) 设备挂载在一个 glass-环氧的板 (一个) (便条 2a) (2) 设备挂载在一个 glass-环氧的板 (b) (便条 2b) t  10 s (1) (2) (3) (4) 动态输入/输出特性流-源电压 V DS (v) 门-源电压 v GS (v) 总的门承担 q g (nc) 0 20 40 60 80 100 -80 -40 0 40 80 120 160 10V VGS=4V 1.3 id=1.3/2.5/5.0a 2.5 id=5.0a 一般源脉冲波测试 0.1 1 10 100 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 10 5 3 1 vgs=0v,-1v --- - - 一般源 Ta  25°C 脉冲波测试 10 100 1000 10000 0.1 1 10 100 Ciss Crss Coss 一般源 V GS  10 v I D  1 毫安脉冲波测试 0 1 2 3 4 5 -80 -40 0 40 80 120 160 一般源 V DS  10 v f  1 毫安脉冲波测试 0 10 20 30 40 0 5 10 15 20 25 30 0 10 20 30 VDS VGS VDD=24V 12 6 40 一般源 Ta  25°C I D  8 一个脉冲波测试

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