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资料编号:657203
 
资料名称:TPC8204
 
文件大小: 342.99K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSII)
 
 


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TPC8204
2003-02-18
3
电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= ±10 v, v
DS
= 0 v
— — ±10 µA
流 截
止 电流 I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v
— — 10 µa
V
(br) dss
I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0 v
20 — — V
源 损坏 电压
V
(br) dsx
I
D
= 10 毫安, v
GS
=
12 v
15 — —
门 门槛 电压 V
th
V
DS
= 10 v, i
D
= 200 µa
0.5 — 1.2 V
R
ds (在)
V
GS
= 2 v, i
D
= 3 一个
— 22 45
R
ds (在)
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 3a
— 19 30
源 在 阻抗
R
ds (在)
V
GS
= 4 v, i
D
= 3 一个
— 16 20
m
向前 转移 admittance |Y
fs
| v
DS
= 10 v, i
D
= 3 一个
8.5 17 S
输入 电容 C
iss
— 2740 —
反转 转移 电容 C
rss
— 520 —
输出 电容 C
oss
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz
— 600 —
pF
上升 时间 t
r
— 3 —
转变
在 时间 t
— 12 —
下降 时间 t
f
— 21 —
切换 时间
转变
止 时间 t
— 102 —
ns
总的 门 承担 (门
加 门
流)
Q
g
— 31 —
源 承担 Q
gs
— 24 —
流 (“miller”) 承担 Q
gd
V
DD
16 v, v
GS
= 5 v, i
D
= 6 一个
— 7 —
nC
流 比率 和 特性
(ta =
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 反转
电流
脉冲波 (便条 1) I
DRP
— — — 24 一个
向前 电压 (二极管) V
DSF
I
DR
= 6 一个, v
GS
= 0 v
— —
1.2 V
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