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资料编号:657220
 
资料名称:TPC8401
 
文件大小: 750.53K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (U−MOSII)
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8401
2002-05-17
1
toshiba 地方 效应 晶体管 硅 n, p 频道 mos 类型 (u
mosii)
TPC8401
lithium ion secondary 电池 产品
可携带的 设备 产品
notebook pcs
低 流
源 在 阻抗
: p 频道 r
DS
(在)
= 27 m
(典型值.)
n 频道 r
DS
(在)
=
1
(典型值.)
高 向前 转移 admittance
: p 频道 |y
fs
| = 7 s (典型值.)
n 频道 |y
fs
| = 8 s (典型值.)
低 泄漏 电流
: p 频道 i
DSS
=
−1
0 µa (v
DS
=
30 v)
n 频道 i
DSS
=
1
0 µa (v
DS
= 30 v)
增强
模式
: p 频道 v
th
=
0.8~
2.0 v (v
DS
=
−1
0 v, i
D
=
−1
毫安)
n 频道 v
th
= 0.8~2.5 v (v
DS
=
1
0 v, i
D
=
1
毫安)
最大 比率
(ta = 25°c)
比率
特性 标识
p 频道 n 频道
单位
流-源 电压 V
DSS
30 30 v
流-门 电压 (r
GS
=
20 k
) v
DGR
30 30 v
门-源 电压 V
GSS
±20 ±20 V
直流 (便条 1) i
D
4.5 6
流 电流
脉冲波 (便条 1) i
DP
18 24
一个
单独的-设备 运作
(便条 3a)
P
d (1)
1.5 1.5
流 电源
消耗
(t = 10s)
(便条 2a)
单独的-设备 值 在
双 运作
(便条 3b)
P
d (2)
1.0 1.0
单独的-设备 运作
(便条 3a)
P
d (1)
0.75 0.75
流 电源
消耗
(t = 10s)
(便条 2b)
单独的-设备 值 在
双 运作
(便条 3b)
P
d (2)
0.45 0.45
W
单独的 脉冲波 avalanche 活力 E
26.3
(便条 4a)
46.8
(便条 4b)
mJ
avalanche 电流 I
AR
4.5 6 一个
repetitive avalanche 活力
单独的-设备 值 在 运作
(便条 2a, 3b, 5)
E
AR
0.10 mJ
频道 温度 T
ch
150 °C
存储 温度 范围 T
stg
55~150 °c
便条: 为 (便条 1), (便条 2a), (note 2b), (note 3a), (note 3b), (note 4a), (note 4b) 和 (note 5), 请 谈及 至 这
next 页.
这个 晶体管 是 一个 静电的 敏感的 设备. 请 handle 和 提醒.
单位: mm
电子元件工业联合会
JEITA
toshiba 2-6j1e
重量: 0.080 g (典型值.)
电路 配置
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