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TPPM0115
转变 模式 同步的 buck 控制
SLVS371A
–
march 2001
–
修订 六月 2001
10
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
应用 信息
PWRGD
NC
阶段
DRVH
DRVL
地
SEN
12v 供应
v2p5mem v
4700 pf
PHD55N03LT
PHD55N03LT
TPPM0115
680pF
1
2
3
45
6
7
8
v 2p5 mem
FQD13N06L
+
–
LMV321
1
µ
F
V
CC
1.7
µ
H
4
µ
H
2.2
Ω
20 k
Ω
250
Ω
1%
1 k
Ω
1%
50
Ω
1%
50
Ω
1%
DDQ
V
CC
1
µ
F
0.1
µ
F
v1p25mem v
TT
p-频道
0.1
µ
F
4.7
µ
F
220
µ
F
低 等效串联电阻
220
µ
F
低 等效串联电阻
1
2
3
4
5
0.1
µ
F
4.7
µ
F
4.7
µ
F
1000
µ
F
1000
µ
F
0.1
µ
F
4.7
µ
F
1500
µ
F
低 等效串联电阻
1500
µ
F
低 等效串联电阻
V
CC
注释: 一个. 这 重的 线条 必须 是 保持 短的 和 连接 至 这 地面 平面 构建 为 效率高的 结果.
b. 这 效能 的 这 调整器 取决于 在 这 恰当的 选择 的 这 外部 组件 为 这 应用.
图示 9. 应用 图式 为 ddr 记忆 v
DDQ
和 v
TT
供应

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TPPM0115 转变模式同步的 buck 控制 SLVS371A – march 2001 – 修订六月 2001 10 邮递办公室盒 655303 • 达拉斯市, 德州 75265 应用信息 PWRGD NC 阶段 DRVH DRVL 地 SEN 12v 供应 v2p5mem v 4700 pf PHD55N03LT PHD55N03LT TPPM0115 680pF 1 2 3 45 6 7 8 v 2p5 mem FQD13N06L + – LMV321 1 µ F V CC 1.7 µ H 4 µ H 2.2 Ω 20 k Ω 250 Ω 1% 1 k Ω 1% 50 Ω 1% 50 Ω 1% DDQ V CC 1 µ F 0.1 µ F v1p25mem v TT p-频道 0.1 µ F 4.7 µ F 220 µ F 低等效串联电阻 220 µ F 低等效串联电阻 1 2 3 4 5 0.1 µ F 4.7 µ F 4.7 µ F 1000 µ F 1000 µ F 0.1 µ F 4.7 µ F 1500 µ F 低等效串联电阻 1500 µ F 低等效串联电阻 V CC 注释: 一个. 这重的线条必须是保持短的和连接至这地面平面构建为效率高的结果. b. 这效能的这调整器取决于在这恰当的选择的这外部组件为这应用. 图示 9. 应用图式为 ddr 记忆 v DDQ 和 v TT 供应

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