tps1100, tps1100y
单独的 p-频道 增强-模式 mosfets
slvs078c – 12月 1993 – 修订 8月 1995
6
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
典型 特性
– 5
– 4
– 2
– 1
0
– 3
0 – 1– 2– 3– 4– 5– 6
– 流 电流 – 一个
– 7
– 6
流 电流
vs
流-至-源 电压
– 7 – 8 – 9 – 10
V
GS
= – 6 v
ÁÁ
ÁÁ
I
D
V
DS
– 流-至-源 电压 – v
V
GS
= – 8 v
V
GS
= – 7 v
V
GS
= – 3 v
V
GS
= – 4 v
V
GS
= – 2 v
V
GS
= – 5 v
T
J
= 25
°
C
图示 3 图示 4
0 – 2 – 3 – 5
流 电流
vs
门-至-源 电压
– 7– 1 – 4 – 6
– 流 电流 – 一个
ÁÁ
ÁÁ
I
D
V
GS
– 门-至-源 电压 – v
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= – 40
°
C
V
DS
= –10 v
0
– 5
– 4
– 2
– 1
– 3
– 7
– 6
0.3
0.2
0.1
0
– 0.1 – 1
0.4
0.5
静态的 流-至-源 在-状态 阻抗
vs
流 电流
0.6
– 10
I
D
– 流 电流 – 一个
0.7
V
GS
= – 2.7 v
V
GS
= – 3 v
V
GS
= – 4.5 v
V
GS
= –10 v
T
J
= 25
°
C
– 静态的 流-至-源
r
ds(在)
Ω
在-状态 阻抗 –
图示 5
200
150
50
0
0 – 1 – 2 – 3 – 4 – 5 – 6
c – 电容 – pf
250
300
电容
vs
流-至-源 电压
350
– 7 – 8 – 9 –12
100
–10 –11
C
oss
V
DS
– 流-至-源 电压 – v
C
iss
†
C
rss
‡
V
GS
= 0
f = 1 mhz
T
J
= 25
°
C
图示 6
†
C
rss
+
C
gd
,c
oss
+
C
ds
)
C
gs
C
gd
C
gs
)
C
gd
≈
C
ds
)
C
gd
‡
C
iss
+
C
gs
)
C
gd
,c
ds(短接)