RTQ045N03
晶体管
rev.一个 1/3
切换 (30v, 4.5a)
RTQ045N03
z
特性
1) 低 在-阻抗.
2) 建造-在 g-s 保护 二极管.
3) 小 和 表面 挂载 包装 (tsmt6) .
z
应用
电源 切换, 直流 / 直流 转换器.
z
结构
硅 n-频道
mos 场效应晶体管
z
外部 维度
(单位 : mm)
各自 含铅的 有 一样 维度
abbreviated 标识 : qm
TSMT6
0.7
±
0.1
0.85
±
0.1
1.0max.
2.9
±
0.1
1.9
±
0.2
0.95 0.95
2.8
±
0.2
0.4
1pin mark
(1)
(5)
(3)
(6)
(2)
(4)
+
0.1
−
0.05
1.6
+
0.2
−
0.1
0.16
0~0.1
0.3~0.6
+
0.1
−
0.06
(1) 流
(2) 流
(3) 门
(4) 源
(5) 流
(6) 流
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
∗
∗
参数
VV
DSS
标识
30
VV
GSS
12
AI
D
AI
DP
AI
S
AI
SP
WP
D
°
CTch 150
°
CTstg
−
55~150
限制 单位
流-源 电压
门-源 电压
流 电流
总的 电源 消耗 (t
C
=
25
°
c)
频道 温度
存储 温度
持续的
搏动
持续的
源 电流
(身体 二极管)
搏动
∗
1 pw
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
±
4.5
±
18
1.0
4.0
1.25
z
相等的 电路
∗
1 静电释放 保护 二极管
∗
2 身体 二极管
∗
一个 保护 二极管 是 包含 在 这 门 和
这 源 terminals 至 保护 这 二极管 相反 静态的
electricity 当 这 产品 是 在 使用. 使用 这 保护
电路 当 这 fixed 电压 是 超过.
(1) 流
(2) 流
(3) 门
(4) 源
(5) 流
(6) 流
(1)
(6) (5)
(1)
(2) (3)
(6) (5) (4)
∗
1
∗
2
(4)
(2) (3)
z
热的 阻抗
(ta=25
°
c)
°
c / w
rth (ch-一个) 100
参数 标识 限制 单位
频道 至 包围的
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