2000 Oct 24 12
飞利浦 半导体 产品 规格
1.3 ghz i
2
c-总线 控制 低 阶段
噪音 频率 synthesizer
TSA5060A
特性
V
CC
= 4.5 至 5.5 v; t
amb
=
−
20 至 +85
°
c; f
xtal
= 4 mhz; 量过的 符合 至 图.4; 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 (管脚 V
CC
)
V
CC
供应 电压 4.5 5.0 5.5 V
I
CC
供应 电流 T
amb
=25
°
C303745mA
V
cc(por)
供应 电压 在下 这个 por 是 起作用的 T
amb
=25
°
C
−
2.75
−
V
RF 输入 (管脚 rfa 和 rfb)
f
i(rf)
RF 输入 频率 64
−
1300 MHz
V
i(rf)(rms)
RF 输入 电压 (rms 值) f
i(rf)
在 64 和
150 mhz; 便条 1
12.6
−
300 mV
−
25
−
+2.5 dBm
f
i(rf)
在 150 和
1300 mhz; 便条 1
7.1
−
300 mV
−
30
−
+2.5 dBm
Z
i(rf)
RF 输入 阻抗 看 图.6
−−− Ω
C
i(rf)
RF 输入 电容 看 图.6
−−−
pF
MDR 主要的 分隔物 比率 预分频器 无能 64
−
131071
预分频器 使能 128
−
262142
结晶 振荡器 (管脚 xtal)
f
xtal
结晶 频率 4
−
16 MHz
Z
XTAL
结晶 振荡器 负的 阻抗 4 mhz 结晶 400 680
−Ω
Z
XTAL
推荐 结晶 序列 阻抗 4 mhz 结晶
−−
200
Ω
P
XTAL
结晶 驱动 水平的 4 mhz 结晶; 便条 2
−
40
−µ
W
f
i(ext)
外部 涉及 输入 频率 便条 3 2
−
20 MHz
V
i(ext)(p-p)
外部 涉及 输入 电压
(顶峰-至-顶峰 值)
便条 3 200
−
500 mV
阶段 比较器 和 承担 打气
f
竞赛
comparison 频率
−−
2 MHz
N
竞赛
相等的 阶段 噪音 在 这 阶段
探测器 输入
f
竞赛
= 250 khz;
c1=c0=1;
在 这 循环 带宽
−−
157
−
dbc/hz
I
cp
承担 打气 电流 C1 = 0; c0 = 0 100 135 170
µ
一个
C1 = 0; c0 = 1 210 280 350
µ
一个
C1 = 1; c0 = 0 450 600 750
µ
一个
C1 = 1; c0 = 1 920 1230 1540
µ
一个
I
lo(cp)
承担 打气 泄漏 输出 电流
−
10 0 +10 nA
驱动 输出 (管脚 驱动)
V
o(驱动)
输出 电压 当 这 承担 打气 是
sinking 电流
XCE = 0; xcs = 1;
T2 = 0; t1 = 0; t0 = 0
−
140 250 mV
I
o(驱动)
输出 电流 当 这 承担 打气 是
sourcing 电流
XCE = 0; xcs = 1;
T2 = 0; t1 = 0; t0 = 1
100 250
−µ
一个
: 点此下载
