TSA5526T_集成电路资料查询网

1996 Sep 24 3
飞利浦 半导体 产品 规格
1.3 ghz 普遍的 总线-控制
tv synthesizers
tsa5526; tsa5527
快 涉及 数据
注释
1. 一个 带宽 转变 缓存区 在, i
o
= 40 毫安.
2. 一个 带宽 转变 缓存区 在, i
o
= 40 毫安; 二 缓存区 在, 最大 总 的 i
o
=50ma.
3. 这 电源 消耗 是 计算 作 跟随:
k
Ω
.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CC1
供应 电压 (+5 v) 4.5
−
5.5 V
V
CC2
带宽 转变 供应 电压 (12 v) V
CC1
12 13.5 V
I
CC1
供应 电流
−
20 25 毫安
I
CC2
带宽 转变 供应 电流 便条 1
−
50 55 毫安
f
RF
rf 输入 频率 64
−
1300 MHz
V
i(rf)
rf 输入 电压 f
i
= 80 至 150 MHz
−
25
−
3 dBm
f
i
= 150 至 1000 MHz
−
28
−
3 dBm
f
i
= 1000 至 1300 MHz
−
15
−
3 dBm
f
xtal
结晶 振荡器 输入 频率 3.2 4.0 4.48 MHz
I
o(pnp)
pnp 带宽 转变 缓存区 输出
电流
便条 2 4
−
50 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 便条 3
−
250 400 mW
T
stg
存储 温度
−
40
−
+150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
−
20
−
+85
°
C
P
D
V
CC1
I
CC1
V
CC2
I
CC2
I
o
–
()
I
o
V
CE satPNP
()
V33 2
⁄()
2
27
⁄
+
×
+
×
+
×
=

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1996 Sep 24 3 飞利浦半导体产品规格 1.3 ghz 普遍的总线-控制 tv synthesizers tsa5526; tsa5527 快涉及数据注释 1. 一个带宽转变缓存区在, i o = 40 毫安. 2. 一个带宽转变缓存区在, i o = 40 毫安; 二缓存区在, 最大总的 i o =50ma. 3. 这电源消耗是计算作跟随: k Ω . 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V CC1 供应电压 (+5 v) 4.5 − 5.5 V V CC2 带宽转变供应电压 (12 v) V CC1 12 13.5 V I CC1 供应电流 − 20 25 毫安 I CC2 带宽转变供应电流便条 1 − 50 55 毫安 f RF rf 输入频率 64 − 1300 MHz V i(rf) rf 输入电压 f i = 80 至 150 MHz − 25 − 3 dBm f i = 150 至 1000 MHz − 28 − 3 dBm f i = 1000 至 1300 MHz − 15 − 3 dBm f xtal 结晶振荡器输入频率 3.2 4.0 4.48 MHz I o(pnp) pnp 带宽转变缓存区输出电流便条 2 4 − 50 毫安 P tot 总的电源消耗便条 3 − 250 400 mW T stg 存储温度 − 40 − +150 ° C T amb 运行包围的温度 − 20 − +85 ° C P D V CC1 I CC1 V CC2 I CC2 I o – () I o V CE satPNP () V33 2 ⁄() 2 27 ⁄ + × + × + × =

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