TSC2003
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SBAS162D
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参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
相似物 输入
全部-规模 输入 span 0V
REF
V
绝对 输入 范围
–
0.2 +V
DD
+0.2 V
电容 25 pF
泄漏 电流 0.1
µ
一个
系统 效能
决议 12 位
非 missing 代号 标准 和 快 模式 11 位
高-速 模式 10 位
integral 线性 错误 标准 和 快 模式
±
2 LSB
(1)
高-速 模式
±
4 LSB
补偿 错误
±
6 LSB
增益 错误
±
4 LSB
噪音 包含 内部的 v
REF
70
µ
电压有效值
电源-供应 拒绝 比率 70 dB
抽样 dynamics
throughput 比率 50 ksps
频道-至-频道 分开 V
在
= 2.5vp-p 在 50khz 100 dB
转变 驱动器
在-阻抗
y+, x+ 5.5
Ω
Y
–
, x
–
7.3
Ω
驱动 电流
(2)
持续时间 100ms 50 毫安
涉及 输出
内部的 涉及 电压 2.45 2.50 2.55 V
内部的 涉及 逐渐变化 25 ppm/
°
C
输出 阻抗 内部的 涉及 在 300
Ω
内部的 涉及 止 1 G
Ω
安静的 电流 pd1 = 1, pd0 = 0, sda, scl 高 750
µ
一个
涉及 输入
范围 2.0 V
DD
V
阻抗 pd1 = pd0 = 0 1 G
Ω
电池 监控
输入 电压 范围 0.5 6.0 V
输入 阻抗 抽样 电池 10 k
Ω
电池 监控 止 1 G
Ω
精度 外部 v
REF
= 2.5v
–
2+2%
内部的 涉及
–
3+3%
温度 度量
温度 范围
–
40 +85
°
C
决议 差别的 方法
(3)
1.6
°
C
TEMP0
(4)
0.3
°
C
精度 差别的 方法
(3)
±
2
°
C
TEMP0
(4)
±
3
°
C
数字的 输入/输出
逻辑 家族 CMOS
逻辑 水平, 除了 penirq
V
IH
| i
IH
|
≤
+5
µ
A+V
DD
•
0.7 +V
DD
+ 0.3 V
V
IL
| i
IL
|
≤
+5
µ
一个
–
0.3 +V
DD
•
0.3 V
V
OH
I
OH
=
–
250
µ
A+V
DD
•
0.8 V
V
OL
I
OL
= 250
µ
一个 0.4 V
penirq v
OL
30k
Ω
拉-向上 0.4 V
数据 format 笔直地
二进制的
输入 电容 sda, scl 线条 10 pF
电的 特性
在 t
一个
=
–
40
°
c 至 +85
°
c, +v
DD
= +2.7v, v
REF
= 2.5v 外部 电压, i
2
c 总线 频率 = 3.4mhz, 12-位 模式 和 数字的 输入 = 地 或者 +v
DD
, 除非
否则 指出.
TSC2003I
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