TSHG6200
文档 号码 81078
rev. 1.3, 08-三月-05
vishay 半导体
www.vishay.com
1
94 8390
高 速 infrared 发出 二极管, 850 nm, gaalas 翻倍
Hetero
描述
tshg6200 是 一个 高 速 infrared 发出 二极管 在
gaalas 翻倍 hetero (dh) 技术, 模塑的 在 一个
clear, untinted 塑料 包装.
这 新 技术 结合 高 速 和 高
radiant 电源 在 wavelength 的 850 nm.
特性
• 高 调制 带宽
• extra 高 radiant 电源 和 radiant 强烈
• 低 向前 电压
• 合适的 为 高 脉冲波 电流 运作
• 标准 包装 t-1¾ (
∅
5 mm)
• 角度 的 half 强烈
ϕ
= ± 10°
• 顶峰 wavelength
λ
p
= 850 nm
• 高 可靠性
• 好的 谱的 相一致 至 si photodetectors
• 含铅的-自由 组件
• 组件 在 一致 至 rohs 2002/95/ec
和 weee 2002/96/ec
产品
infrared 辐射 源 为 cmos cameras
(illumination). 高 速ir 数据 传递.
部分 表格
绝对 最大 比率
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
基本 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
Part Remarks
TSHG6200 moq: 4000 pc
参数 测试 情况 标识 Value 单位
反转 电压 V
R
5V
向前 电流 I
F
100 毫安
顶峰 向前 电流 t
p
/t = 0.5, t
p
= 100
µ
sI
FM
200 毫安
surge 向前 电流 t
p
= 100
µ
sI
FSM
1A
电源 消耗 P
V
250 mW
接合面 温度 T
j
100 °C
运行 温度 范围 T
amb
- 40 至 + 85 °C
存储 温度 范围 T
stg
- 40 至 + 100 °C
焊接 温度 t
≤
5 秒, 2 mm 从 情况 T
sd
260 °C
热的 阻抗 接合面/
包围的
R
thJA
300 k/w
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= 100 毫安, t
p
= 20 ms V
F
1.5 1.8 V
I
F
= 1 一个, t
p
= 100
µ
sV
F
2.3 V
温度 系数 的 v
F
I
F
= 100 毫安 TK
VF
-2.1 mv/k
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