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qualpack ts80c31x2/c32x2
4 rev. 2 – january 1999
3. 技术 信息
3.1 薄脆饼 处理 技术
处理 类型 (名字): cmos (scmos1/2 - z86e)
根基 材料: 硅 epi 基质 类型
薄脆饼 厚度 (最终) 475um
薄脆饼 直径 150mm
号码 的 masks 13
门 oxide
材料 硅 dioxide
厚度 195 一个
Polysilicon
号码 的 layers 1
厚度 3000 一个
Metal
号码 的  layers 2
layer 1 材料 tin/w
layer 1 厚度 600 + 5000 一个
layer 2 材料 德州仪器/alcu
layer 2 厚度 7000 一个
Passivation
材料 Si
3
N
4
在 sio2
厚度 10000 一个

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qualpack ts80c31x2/c32x2 4 rev. 2 – january 1999 3. 技术信息 3.1 薄脆饼处理技术处理类型 (名字): cmos (scmos1/2 - z86e) 根基材料: 硅 epi 基质类型薄脆饼厚度 (最终) 475um 薄脆饼直径 150mm 号码的 masks 13 门 oxide 材料硅 dioxide 厚度 195 一个 Polysilicon 号码的 layers 1 厚度 3000 一个 Metal 号码的 layers 2 layer 1 材料 tin/w layer 1 厚度 600 + 5000 一个 layer 2 材料德州仪器/alcu layer 2 厚度 7000 一个 Passivation 材料 Si 3 N 4 在 sio2 厚度 10000 一个

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