technische 信息 / 技术的 信息
netz-thyristor-modul
阶段 控制 thyristor 单元
tt 240 n 28...36
N
elektrische eigenschaften / 电的 properties
charakteristische werte / 典型的 值
Zündverzug
din iec 747-6
t
gd
最大值 4,5 µs
门 控制 延迟 时间
T
vj
= 25°c, i
GM
= 1a, di
G
/dt = 1a/µs
Freiwerdezeit
T
vj
= t
vj 最大值
, i
TM
= 400a
t
q
电路 commutated 转变-止 时间
v
RM
= 100v, v
DM
= 0,67 v
DRM
dv
D
/dt = 20v/µs, -di
T
/dt = 10a/µs
5. kennbuchstabe / 5th letter o
典型值 350
µs
isolations-prüfspannung
rms, f = 50hz, t = 1min
V
ISOL
3,0 kV
绝缘 测试 电压
rms, f = 50hz, t = 1sec
3,6 kV
thermische eigenschaften / 热的 properties
innerer wärmewiderstand
pro modul / 每 单元,
Θ
= 180°sin
R
thJC
最大值 0,0390
°c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况
pro zweig / 每 arm,
Θ
= 180°sin
最大值 0,0780
°c/w
pro modul / 每 单元, 直流
最大值 0,0373 °c/w
pro zweig / 每 arm, 直流
最大值 0,0745 °c/w
Übergangs-wärmewiderstand
pro modul / 每 单元
R
thCK
最大值 0,010 °c/w
热的 阻抗, 情况 至 散热器
pro zweig / 每 arm
最大值 0,020 °c/w
höchstzulässige sperrschichttemperatur T
vj 最大值
125 °C
最大值 接合面 温度
Betriebstemperatur T
c 运算
- 40...+125 °C
运行 温度
Lagertemperatur T
stg
- 40...+130 °C
存储 温度
mechanische eigenschaften / 机械的 properties
gehäuse, siehe anlage seite 3
情况, 看 附录 页 3
si-elemente mit druckkontakt, amplifying-门
si-pellets 和 压力 联系, amplifying-门
innere 分开 AlN
内部的 绝缘
anzugsdrehmoment für mechanische befestigung
toleranz / tolernance ±15%
M1 6 Nm
挂载 torque
anzugsdrehmoment für elektrische anschlüsse
toleranz / tolernance +5% / -10%
M2 12 Nm
终端 连接 torque
Gewicht G
典型值
1500 g
重量
Kriechstrecke 19 mm
creepage 距离
Schwingfestigkeit
f = 50hz
50 m/s²
震动 阻抗
mit dieser technischen 信息 werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt 在 verbindung
mit den zugehörigen technischen erläuterungen. / 这个 技术的 信息 specifies 半导体 设备 但是 promises 非 特性.
它 是 有效的 在 结合体 和 这 belonging 技术的 注释.
mod-毫安; r. jörke
17. 二月 98
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