sdram 256mb e-消逝 (x4, x8, x16)
cmos sdram
rev. 1.5 将 2004
sdram 256mb e-消逝 (x4, x8, x16)
部分 非. Orgainization 最大值 freq. 接口 包装
k4s560432e-tc(l)75 64m x 4 133mhz (cl=3)
LVTTL 54pin tsop(ii)
k4s560832e-tc(l)75 32m x 8 133mhz (cl=3)
k4s561632e-tc(l)60/75 16m x 16 166mhz (cl=3)
这 k4s560432e / k4s560832e / k4s561632e 是 268,435,456 位同步的 高 数据 比率 dynamic 内存 有组织的 作 4 x
16,777,216 words 用 4 位 / 4 x 8,388,608 words 用 8bits /4 x 4,194,304 words 用 16bits, fabricated 和 samsung's 高 每为-
mance cmos 技术. 同步的 设计 allows 准确的 循环 控制 和 这 使用 的系统 时钟 i/o transactions 是 possible
在 每 时钟 循环. 范围 的 运行 发生率, 可编程序的 burst 长度 和 可编程序的 latencies 准许 这 一样 device 至
是 有用的 为 一个 多样性 的 高 带宽, high 效能 记忆 系统 产品.
• 电子元件工业联合会 标准 3.3v 电源 供应
• lvttl 兼容 和 多路复用 地址
• 四 banks 运作
• mrs 循环 和 地址 关键 programs
-. cas latency (2 &放大; 3)
-. burst 长度 (1, 2, 4, 8 & 全部 page)
-. burst 类型 (sequential &放大; interleave)
• 所有 输入 是 抽样 在 这 positive going 边缘 的 这 系统 时钟.
• burst 读 单独的-位 写 运作
• dqm (x4,x8) &放大; l(u)dqm (x16) 为 masking
• 自动 &放大; 自 refresh
• 64ms refresh 时期 (8k 循环)
一般 描述
特性
16m x 4bit x 4 banks / 8m x 8bit x 4 banks /4m x 16bit x 4 banks sdram
订货 信息
行 &放大; column 地址 配置
Organization 行 地址 column 地址
64Mx4 A0~A12 a0-a9, a11
32Mx8 A0~A12 a0-a9
16Mx16 A0~A12 a0-a8
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