STTH16L06C
4/8
图示 7:
反转 恢复 charges 相比
dI
F
/dt (典型 值, 每 二极管)
图示 8: 反转 恢复 softness 因素
相比 di
F
/dt (典型 值, 每 二极管)
图示 9: 相关的 变化 的 动态
参数 相比 接合面 温度
图示 10: 瞬时 顶峰 向前 电压
相比 di
F
/dt (典型 值, 每 二极管)
图示 11: 向前 恢复 时间 相比 di
F
/dt
(典型 值, 每 二极管)
图示 12: 接合面 电容 相比
反转 电压 应用 (典型 值, 每
二极管)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
0 100 200 300 400 500
Q (nc)
rr
I =2 x i
ff(av)
I=I
ff(av)
I =0.5 x i
ff(av)
V =400V
T =125°C
R
j
dI /dt(一个/µs)
F
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
s 因素
dI /dt(一个/µs)
F
i< 2 xi
T =125°C
ff(av)
j
V =400V
R
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25 50 75 100 125
I
RM
Q
RR
t
rr
S 因素
T (°c)
j
I=I
涉及: T =125°C
ff(av)
j
V =400V
R
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
V (v)
FP
dI /dt(一个/µs)
F
I=I
T =125°C
ff(av)
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0 100 200 300 400 500
t (ns)
fr
dI /dt(一个/µs)
F
I=I
T =125°C
ff(av)
j
V =1.1 x V 最大值
FR F
1
10
100
1 10 100 1000
c(pf)
V (v)
R
F=1MHz
V =30mV
T =25°C
OSC RMS
j
: 点此下载
