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资料编号:664147
 
资料名称:STTH2003CR
 
文件大小: 132.61K
   
说明
 
介绍:
HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
 
 


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stth2003ct/cg/cf/cr/cfp
25 50 75 100 125
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
tj(°c)
IRM
s 因素
图. 7:
相关的 变化 动态 参数
相比 接合面 温度 (涉及: Tj = 125°c).
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
2
4
6
8
10
V (v)
FP
如果=如果(av)
Tj=125°C
dif/dt(一个/µs)
图. 8:
瞬时 顶峰 向前 电压 相比
dI
F
/dt (90% 信心, 二极管) (至-220ab).
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
100
200
300
400
500
t (ns)
fr
vfr=1.1*vf 最大值
如果=如果(av)
Tj=125°C
dif/dt(一个/µs)
图. 9:
向前 恢复 时间 相比 dI
F
/dt (90%
信心, 二极管).
0 5 10 15 20 25 30 35 40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
rth(j-一个) (°c/w)
s(cu) (cm²)
图. 10:
热的 阻抗 接合面 包围的
相比 表面 下面 tab (环氧的 打印
电路 fr4, 厚度: 35
µ
m)
(d
2
pak).
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
s 因素
VR=200V
Tj=125°C
dif/dt(一个/µs)
图. 6:
Softness 因素 (tb/ta) 相比 dI
F
/dt (典型
值, 二极管).
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