关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:664170
资料名称:
STTH2002CFP
文件大小: 92.91K
说明
:
介绍
:
HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
STTH2002C
4/7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
t(ns)
rr
T
=25°C
j
T
=125°C
j
dI
/dt(一个/µs)
F
I
=10A
F
V
=160V
R
图.
6:
反转
恢复
时间
相比
dI
F
/dt
(典型
值,
每
二极管).
0
2
4
6
8
10
12
14
16
10
100
1000
i(一个)
RM
T
=25°C
j
T
=125°C
j
dI
/dt(一个/µs)
F
I
=10A
F
V
=160V
R
图.
7:
顶峰
反转
恢复
电流
相比
dI
F
/dt
(典型
值,
每
二极管).
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
I
RM
Q
rr
T
(°c)
j
q;
rr
I
[T
]/q
;i
[T
=125°C]
RM
j
rr
RM
j
I
=10A
F
V
=160V
R
图.
8:
动态
参数
相比
接合面
温度.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
02468101214161820
s(cu)(cm²)
R
(°c/w)
th(j-一个)
图.
9:
热的
阻抗
接合面
至
包围的
相比
铜
表面
下面
tab
(环氧的
打印
电路
板
fr4,
e
CU
:
35µm)
为
D
2
pak.
0
50
100
150
200
250
300
10
100
1000
Q
(nc)
rr
dI
/dt(一个/µs)
F
I
=10A
F
V
=160V
R
T
=125°C
j
T
=25°C
j
图.
5:
反转
恢复
charges
相比
dI
F
/dt
(典型
值,
每
二极管).
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com